--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:PV600BA-VB
丝印:VBA1311
品牌:VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型:N沟道
- 额定电压:30V
- 最大电流:12A
- 导通电阻(RDS(ON)):12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 阈值电压(Vth):0.8~2.5V
- 封装:SOP8
应用简介:
PV600BA-VB是一款N沟道MOSFET,适用于多种电子设备和电路中。其特性使其在不同领域的模块中有广泛的应用。
**应用领域和模块说明:**
1. **电源模块**:
- PV600BA-VB的低导通电阻和高电流承受能力使其在电源模块中非常有用。
- 该MOSFET可以用于开关电源、DC-DC变换器和电源管理模块,帮助实现高效的电能转换。
2. **电机驱动模块**:
- 由于其低导通电阻和30V的额定电压,PV600BA-VB适用于电机驱动模块。
- 它可用于电机驱动器、电机控制器和机器人的电机控制模块,以实现高效的电机运行。
3. **LED照明模块**:
- 在LED照明模块中,PV600BA-VB可用于调光电路和开关控制。
- 它帮助实现LED照明系统的节能和亮度调节。
4. **汽车电子模块**:
- 该MOSFET的耐高温和高电流特性使其成为汽车电子模块的理想选择。
- 它可用于发动机控制模块、电池管理系统、车内电子模块等。
5. **无线通信模块**:
- 在无线通信设备中,PV600BA-VB可用于功率放大器和信号开关。
- 它有助于提高无线通信模块的性能和效率。
总之,PV600BA-VB是一款多功能的N沟道MOSFET,具有广泛的应用领域,包括电源、电机驱动、LED照明、汽车电子和无线通信等模块。其低导通电阻、高电流承受能力和可靠性使其成为各种电子设备和系统的重要组成部分。
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