--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:CHMP830JGP-A-VB
丝印:VBA2317
品牌:VBsemi
参数说明:
- 极性:P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大连续漏极电流:-7A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):23mΩ @ 10V,29mΩ @ 4.5V,66mΩ @ 2.5V
- 门极-源极电压(Vgs):20V(±V)
- 開啟電壓(门极阈值电压):-1.37V
- 封装:SOP8
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B4/96/wKgZomVv8UOAcL3QAAH2gWhFLbg945.png)
应用简介:
CHMP830JGP-A-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,具有适中的电流承受能力和低漏极-源极电阻。这使其适用于多种电子应用领域。
应用领域:
1. **电源模块**:CHMP830JGP-A-VB可用于开关电源、电池保护和电源管理模块,有助于提高电能转换效率。
2. **信号开关**:这种MOSFET器件可用于各种信号开关应用,例如低电压信号切换和电路保护。
3. **电池管理**:在便携式设备、无人机和电动汽车中,CHMP830JGP-A-VB可用于电池管理系统,确保电池的安全充放电和保护。
4. **功率管理**:在功率管理电路中,这种MOSFET可以用于电源开关和功率分配。
5. **LED驱动**:CHMP830JGP-A-VB可用于LED驱动器和照明控制,以提供高效的LED照明。
总之,CHMP830JGP-A-VB是一款多功能的电子器件,适用于需要适中电流承受能力、低电阻和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、信号开关、电池管理、功率管理、LED照明等模块。
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