型号：FDY3000NZ-VB
丝印：VBTA3230NS
品牌：VBsemi
参数说明：
- **双N沟道：** 该器件包含两个N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，适用于不同类型的应用，如电源开关等。
- **工作电压（VDS）：** 20V，表示MOSFET的耐压上限，适用于中低电压电路。
- **持续电流（ID）：** 0.2A，表示MOSFET可以承受的最大电流。
- **导通电阻（RDS(ON))：** 300mΩ @ 4.5V，350mΩ @ 2.5V，20Vgs(±V)，表示MOSFET在导通状态时的电阻，这两个值分别对应不同的栅极电压。
- **阈值电压（Vth)：** 0.3V，表示MOSFET进入导通状态所需的栅极电压。
- **封装：** SC75-6，这是一种小型表面贴装封装。
应用简介：
这种双N沟道MOSFET适用于多种低功率电子应用，包括但不限于：
1. **电源开关：** 用于低功率电源开关电路，如小型DC-DC转换器和电源管理单元。
2. **电池保护：** 用于小型电池保护电路，以控制电池充电和放电，防止过电流和过压。
3. **信号开关：** 用于小型信号开关电路，如信号放大器、音频放大器和小型传感器接口。
4. **LED驱动器：** 用于低功率LED照明应用，以实现高效的LED灯光控制。
5. **便携式设备：** 在小型便携式电子设备中，如智能手表、耳机和传感器模块中，用于电源管理和信号开关。
这种双N沟道MOSFET适用于需要低功率N沟道器件的电子电路，提供可靠的电流控制和开关性能，通常用于低功率电子领域以提高效率和性能。
