--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: AO4801-VB
丝印: VBA4338
品牌: VBsemi
封装: SOP8
详细参数说明:
- 构件类型: P沟道MOSFET
- 最大耐压(VDS): -30V
- 最大持续漏电流(ID): -7A
- 开启状态电阻(RDS(ON)): 35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围: ±20V
- 阈值电压(Vth): -1.5V
- 封装类型: SOP8
应用简介:
AO4801-VB是一款P沟道MOSFET,适用于多种应用领域,具有以下关键特性:
1. **低电阻特性**: 具有低的开启状态电阻(RDS(ON)),在10V电压下为35mΩ,这使得它在高电流负载下能够减小功耗和热量产生。
2. **广泛的电压范围**: 可以在20V的门源电压范围内工作,这为不同电路设计提供了灵活性。
3. **低阈值电压**: 具有低的阈值电压(Vth),-1.5V,使其易于由微控制器或其他逻辑设备控制。
应用领域:
AO4801-VB广泛应用于各种电子领域,包括但不限于:
1. **电源管理**: 由于其低电阻和低电压控制要求,AO4801-VB常用于开关电源和电源管理模块中,以提高效率和降低能耗。
2. **驱动器电路**: 在电机驱动器、照明控制器和其他驱动器电路中,AO4801-VB可以用作开关元件,实现电路的快速开关和控制。
3. **电池管理**: 在便携式电子设备、电池充电和保护电路中,这种MOSFET可用于控制电流和电压,以延长电池寿命并提高充电效率。
4. **汽车电子**: 在汽车电子领域,AO4801-VB可用于控制各种电路,包括发动机管理、照明系统和电动车辆控制。
总之,AO4801-VB作为一种低电阻P沟道MOSFET,适用于各种需要高性能电子开关和控制的应用领域。它在能源效率、电路性能和电源管理方面都有广泛的应用潜力。
为你推荐
-
50NF25-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 11:00
产品型号:50NF25-VB TO263 封装:TO263 沟道:Single-N -
50NF25-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:58
产品型号:50NF25-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
50N25M5-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:57
产品型号:50N25M5-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
50N10-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:54
产品型号:50N10-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
50N10-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:53
产品型号:50N10-VB TO252 封装:TO252 沟道:Single-N -
50N10-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:48
产品型号:50N10-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
50N06-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:45
产品型号:50N06-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
50N06-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:43
产品型号:50N06-VB TO263 封装:TO263 沟道:Single-N -
50N06-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:37
产品型号:50N06-VB TO220F 封装:TO220F 沟道:Single-N -
50N06L-TN3-R-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:36
产品型号:50N06L-TN3-R-VB 封装:TO252 沟道:Single-N