--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOT223封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: NIF9N05CLT1G-VB
丝印: VBJ1695
品牌: VBsemi
封装: SOT223
**详细参数说明:**
- 架构: N-Channel MOSFET
- 电压等级: 60V
- 电流能力: 4A
- RDS(ON): 76mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): 1.53V
**应用简介:**
NIF9N05CLT1G-VB是一款SOT223封装的N-Channel MOSFET,适用于多种领域的电路设计。以下是该器件可能应用于的领域和模块:
1. **电源模块:** 适用于小型电源模块,能够提供高效的电源开关和电压调节。
2. **电池管理:** 可用于电池充放电管理模块,支持中等电流容量和相对低阈值电压。
3. **LED照明:** 适合用于LED照明驱动电路,具有适中的电流能力和低导通电阻,有助于实现高效的LED照明系统。
4. **电源开关:** 作为N-Channel MOSFET,可以用于电源开关,用于控制电路的通断,提高电路的效率和响应速度。
**使用注意事项:**
- 在设计电路时,确保了解和遵循器件的最大额定电压和电流,以防止器件损坏。
- 注意适当的散热措施,特别是在高电流应用中,以确保器件在正常工作温度范围内。
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