--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
参数:
- 类型:N—Channel沟道
- 额定电压:20V
- 额定电流:6A
- RDS(ON):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压:0.45~1V
封装:
- SOT23
应用简介:
AP2322GN-VB是VBsemi品牌的N—Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23封装。具有20V的额定电压和6A的额定电流,RDS(ON)在VGS=4.5V和VGS=8V时为24mΩ。阈值电压范围为0.45~1V。
该产品广泛应用于以下领域和模块:
1. **电源管理模块:** AP2322GN-VB可作为电源管理模块中的功率开关和电流控制器,实现高效的电源调节和控制。
2. **电源逆变器:** 适用于电源逆变器,支持直流到交流的转换,常见于太阳能逆变器、电动汽车充电器等应用。
3. **电源开关模块:** 在电源开关模块中,AP2322GN-VB可用作高性能的开关元件,提供低导通电阻和稳定的电源开关控制。
4. **LED驱动器:** 用于LED照明系统的驱动器,提供高效的电流控制,有助于提高LED照明系统的性能和可靠性。
总的来说,AP2322GN-VB适用于多种电源管理和控制应用,具有高性能和稳定的特性,可在不同领域的电子模块中发挥作用。
为你推荐
-
72580E-VB一款Single-N沟道SOT669的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 15:57
产品型号:72580E-VB 封装:SOT669 沟道:Single-N -
72560E-VB一款Single-N沟道SOT669的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 15:55
产品型号:72560E-VB 封装:SOT669 沟道:Single-N -
72210E-VB一款Single-N沟道SOT669的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 15:54
产品型号:72210E-VB 封装:SOT669 沟道:Single-N -
72140E-VB一款Single-N沟道SOT669的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 15:53
产品型号:72140E-VB 封装:SOT669 沟道:Single-N -
71560E-VB一款Single-N沟道SOT669的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 15:51
产品型号:71560E-VB 封装:SOT669 沟道:Single-N -
715310E-VB一款Single-N沟道SOT669的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 15:39
产品型号:715310E-VB 封装:SOT669 沟道:Single-N -
71510E-VB一款Single-N沟道SOT669的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 15:38
产品型号:71510E-VB -
71480E-VB一款Single-N沟道SOT669的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 15:36
产品型号:71480E-VB 封装:SOT669 沟道:Single-N -
71240E-VB一款Single-N沟道SOT669的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 15:34
产品型号:71240E-VB 封装:SOT669 沟道:Single-N -
71210E-VB一款Single-N沟道SOT669的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-19 15:32
产品型号:71210E-VB 封装:SOT669 沟道:Single-N