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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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CYT2302-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: CYT2302-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 N—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

产品型号: CYT2302-VB

丝印: VB1240

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: N-Channel
- 最大电压: 20V
- 最大电流: 6A
- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)): 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压 (Vth): 0.45~1V

封装: SOT23

详细参数说明:
CYT2302-VB是一款N-Channel沟道的功率场效应管,采用SOT23封装。最大工作电压为20V,最大工作电流为6A。在不同门源电压下,漏源电阻(RDS(ON))为24mΩ,阈值电压(Vth)在0.45~1V范围内。

应用简介:
该产品适用于要求高电流、低漏电阻的电源管理和功率放大应用。

应用领域:
1. 电源管理模块
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动器
4. LED照明控制

请注意,具体应用取决于系统设计要求和性能规格。

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