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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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FDN5632N-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: FDN5632N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23封装
  • 沟道 N—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

产品型号: FDN5632N-VB

丝印: VB1695

品牌: VBsemi

**详细参数说明:**
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: N-Channel
- 最大耐压: 60V
- 最大电流: 4A
- 开通电阻(RDS(ON)): 85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): 1~3V

**应用简介:**
FDN5632N-VB是一款N-Channel沟道类型的场效应管,采用SOT23封装。其主要特点包括60V的最大耐压、4A的最大电流和低开通电阻(85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V),以及1~3V的阈值电压。这使得它在多种应用中表现卓越。

**适用领域:**
FDN5632N-VB适用于各种领域,特别是在需要N-Channel沟道类型场效应管的场景中,例如:
1. **电源管理模块:** 具有较高的最大耐压和适中的电流特性,可用于电源管理模块,确保稳定的电源输出。
2. **电动工具:** 由于低开通电阻,适用于电动工具等需要高电流驱动的应用。
3. **自动控制系统:** 适用于需要N-Channel沟道场效应管的自动控制系统,如自动化工业设备。

这些应用领域充分发挥了FDN5632N-VB在电源、控制和电动驱动方面的优势。

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