--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**SDM4953-VB 详细性能参数**
- **型号**:SDM4953-VB
- **丝印**:VBA4338
- **品牌**:VBsemi
- **参数**:
- 2个P—Channel沟道
- 工作电压:-30V
- 电流:-7A
- RDS(ON):35mΩ @ VGS=10V, 35mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压Vth:-1.5V
- **封装**:SOP8
**性能亮点:**
SDM4953-VB是一款具有两个P沟道的MOSFET,特色参数使其在不同应用中表现卓越。以下是其关键性能特点:
1. **双P沟道设计**:拥有两个P沟道,适用于特定电子设计需求。
2. **低电压工作**:工作电压为-30V,适合低电压应用场景。
3. **低导通电阻**:在VGS=10V和VGS=20V时,RDS(ON)都为35mΩ,提供了可靠的导通性能。
4. **负阈值电压**:阈值电压Vth为-1.5V,使其在负电源电压下工作更为稳定。
**应用示例:**
SDM4953-VB适用于多个领域,为工程师提供了灵活的应用选择:
1. **音频放大器模块**:可用于音频放大器电路中的功率放大器模块,提供可靠的电流控制。
2. **电源逆变器**:在电源逆变器模块中,SDM4953-VB可实现直流到交流的高效转换。
3. **电池保护电路**:适用于需要负电源电压下工作的电池保护电路,提供稳定的控制。
4. **LED驱动器**:可用于LED照明系统中的电源驱动器,实现电流调光和高效照明。
5. **便携式电子设备**:由于低电压工作特性,适合应用于便携式电子设备中,如智能手机和平板电脑。
SDM4953-VB以其双P沟道设计和特殊参数,在多个应用场景中发挥着重要作用,为电子设计提供了创新的解决方案。
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