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在多层集成电路中,薄的、短的局部互连提供片上连接,而厚的、长的全局互连在不同的块之间传输。正如Lam Research技术总监Larry Zhao所详细描述的那样,硅通孔(TSV)允许信号和功率从一层传输到下一层。...
随着晶体管尺寸的逐步缩小,其特征尺寸也在不断缩小,当特征尺寸到了22nm,平面晶体管由于其栅极对于沟道的控制能力较弱而出现短沟道效应,逐渐被一种新型的晶体管所取代,即鳍式场效应晶体管(Fin FET)。...
光刻材料一般特指光刻胶,又称为光刻抗蚀剂,是光刻技术中的最关键的功能材料。这类材料具有光(包括可见光、紫外光、电子束等)反应特性,经过光化学反应后,其溶解性发生显著变化。...
摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为;集成电路上可容纳的品体管数目,约每隔18个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。这一定律揭示了信息技术进步的速度。...
芯片制造是当今世界最为复杂的工艺过程。这是一个由众多顶尖企业共同完成的一个复杂过程。本文努力将这一工艺过程做一个汇总,对这个复杂的过程有一个全面而概括的描述。...
刻蚀过程中形成几乎完全垂直于晶圆表面的侧壁,是一种各向异性的刻蚀。刻蚀后的侧壁非常垂直,底部平坦。这是理想的刻蚀形态,它能够非常精确地复制掩膜上的图案。...
厚度的增加虽然提高了晶圆的稳定性,但同时也带来了新的挑战,如热管理问题和加工难度增加。更厚的晶圆意味着在制造过程中,热量的分布可能更不均匀,这可能会影响到晶圆上芯片的制造质量。...
芯片制造的最后一道工序为测试,其又可分为一般测试和特殊测试,前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性,如消耗功率、运行速度、耐压度等。...
作为工业化长期积累的各类工业知识、机理模型和经验诀窍的结晶,工业软件已经从辅助工具演化为了工业化进程不可或缺的伴生物,是制造业的重中之重。...
光刻机经历了5代产品发展,每次改进和创新都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。按照使用光源依次从g-line、i-line发展到KrF、ArF和EUV;按照工作原理依次从接触接近式光刻机发展到浸没步进式投影光刻机和极紫外式光刻机。...
制造集成电路的大多数工艺区域要求100级(空气中每立方米内直径大于等于0.5μm的尘埃粒子总数不超过约3500)洁净室,在光刻区域,洁净室要求10级或更高。...
光刻是集成电路(IC或芯片)生产中的重要工艺之一。简单地说,就是利用光掩模和光刻胶在基板上复制电路图案的过程。...
BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺技术是将双极型晶体管、CMOS(互补金属氧化物半导体)和DMOS(双扩散金属氧化物半导体)晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺。...
随着芯片在算速与算力上的需求同步提升,当前高速信号传输、优化散热性能、实现更小型化的封装、降低成本、提高可靠性以及实现芯片堆叠等已成为封装领域的新追求。...
1950年发明,早期模拟电路广泛使用BIPOLAR工艺,BIPOALR工艺可以做到非常低的漏电,非常低的噪声,但是BIPOLAR最大问题是实现数字电路比较困难,或者占用面积较大。...
衬底(substrate)是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片,衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件,也可以进行外延工艺加工生产外延片。...
在曝光过程中,掩模版与涂覆有光刻胶的硅片直接接触。接触式光刻机的缩放比为1:1,分辨率可达到4-5微米。由于掩模和光刻胶膜层反复接触和分离,随着曝光次数的增加,会引起掩模版和光刻胶膜层损坏、芯片良率下降等不良后果。...