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看了一眼这个电路，我感觉有问题，MOS管应该不会导通，就跟同事讲了，同事说这个电路是之前用过的，认为没有问题，于是就上电了。...
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。...
压敏电阻具有较大的寄生电容，当它应用于交流电源系统的保护时，往往会在正常运行状态下产生数值可观的泄漏电流。例如一个寄生电容为2nF的压敏电阻安装在220V,50hz的交流电源系统中，其泄漏电流可达0.14mA(有效值)，这样大的泄漏电流往往会对系统的正常运行产生影响。...
① LDO正常工作时，VIN大于VOUT，二极管D3截止； ② LDO掉电，出现VOUT下电比VIN下电慢的情况，反向压差可能会损坏LDO，加了D3，输入和输出电压差钳位在二极管压降大小，保护了LDO。...
Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面栅极MOSFET和超结MOSFET。平面栅极MOSFET在提高额定电压时，漂移层会变厚，导致导通电阻增加的问题。...
碳化硅是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体材料，与传统的硅(Si)材料相比，具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。...
MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。...
在实际应用中，运放的同一个封装里面有双运放或四运放（如下图），但有时候我们只需使用其中的一部分，多余的引脚怎么处理呢？...
那么结温和热阻有什么用呢？--半导体器件主要通过热传递的方式对元件本身进行散热，当芯片温度升高，超过结温后会导致元件损坏。...
本文采用的DTS（DieTopSystem）技术结合了芯片双面银烧结工艺与铜线键合工艺，此技术能够避免直接在芯片上进行铜线键合时造成的芯片损伤。...
IGBT在二极管钳位感性负载条件下的电路如图1所示，该电路为IGBT常用电路，可作为IGBT开关特性的测试电路，评估IGBT的开通及关断行为。...
国际半导体IDM厂商，如意法半导体、英飞凌、安森美、罗姆电子等，在中国市场仍然占据碳化硅元件的重要地位。消息人士补充，外国汽车品牌或与中国合资的汽车品牌，也主要依赖于上述供应商进行碳化硅采购。...
虽然Infineon是欧洲五大芯片制造商之一，但他的作风一向非常低调。就连Infineon的收购行动也常常被低调处理。...
SPICE在晶体管级别的仿真方面表现出色；然而，IC设计工程师要尽一切可能，让人难以分辨运算放大器中是否存在晶体管。他们希望您能够使用运算放大器手册为设计提供参考，并且不会因为晶体管的限制而偏离理想的运算放大器性能。...
碳化硅功率器件利用SiC半导体材料制成。SiC是一种宽带隙半导体材料，具有比硅（Si）更高的电子饱和漂移速度和热导率，以及更高的临界击穿电场强度。...
利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。...
与放电型RCD缓冲电路不同，非放电型RCD缓冲电路的RSNB消耗的功率仅为浪涌能量，因此RSNB的容许损耗可以较小。这可以扩大RSNB的选择范围，使得能够增加CSNB的电容量，因而可以提高钳位的效果。...
IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。 IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。...
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