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• 量化ADC动态性能的六个技术指标介绍

  各点之间的间隔为fs/M，整个频率覆盖范围为dc至fs/2，其中fs为采样率。利用Analog Devices 公司的ADIsimADC程序对理想的12位ADC进行FFT分析后。...

  2564次阅读 · 0评论 adc信噪比频谱分析仪频谱SNR

• 三极管核心结构及工作原理详解

  晶体三极管出现之前是真空电子三极管在电子电路中以放大、开关功能控制电流。...

  805次阅读 · 0评论 三极管晶体三极管限流电阻
  

• 艾为推出AWS790X2系列低噪声CMOS运算放大器

  该运算放大器的单位增益稳定，并具有超低的输入偏置电流，非常适合传感器接口、有源滤波器、工业和便携式应用。...

  218次阅读 · 0评论 CMOS运算放大器有源滤波器偏置电流艾为电子
  

• 为什么不建议肖特基并联使用

  正向稳态导通压降低肖特基二极管正向压降非常小，一般为0.2~0.45V，比快恢复二极管正向压降低很多，所以自身功耗较小。...

  2661次阅读 · 0评论 二极管整流二极管肖特基二极管快恢复二极管续流二极管
  

• 电流检测电阻器很容易吗？

  总体电流检测精度误差的预算需要考虑三个因素：初始电阻容差、环境温度变化引起的TCR误差以及自发热引起的TCR误差。幸运的是，供应商会提供具有极低TCR的专用精密金属箔电阻器。...

  261次阅读 · 0评论 电流电阻器TCR
  

• 如何让运算放大器输出振荡

  这种现象是由于环路不稳定，相位裕度不足导致的；我们可以按照TI文档中的方法进行相位裕度的仿真。TI的文档如下，我们先仿真一下不并联电容情况下的相位裕度。...

  1546次阅读 · 0评论 放大器运算放大器方波并联电容负载电容
  

• 晶体管极性识别：实用技巧与方法

  晶体管的极性区别可通过图形、黑点等标记来进行。该种识别技巧要牢记掌握，常见晶极管电极引脚有椭圆形和直线形排列。...

  1170次阅读 · 0评论 电极晶体管
  

• 车企降价20%要求引发行业震动：SiC产业将面临怎样的影响？

  电动汽车最大的成本为动力电池（占比约38%），电控占比约为6%。据英飞凌估算，电控成本中，功率半导体（IGBT/SiC等）约占40%，其次是DC-Link电容，成本占比约为16%。...

  293次阅读 · 0评论 电动汽车新能源汽车车载电源薄膜电容薄膜电容器

• 碳化硅（SiC）功率器件核心优势及技术挑战

  SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说，SiC的禁带宽度是硅的近3倍，这意味着在高温下仍可保持良好的电性能；其热导率是硅的3倍以上，有利于高功率应用中的热管理。...

  1420次阅读 · 0评论 功率器件SiC碳化硅
  

• 关于差分放大器这些弊端你都知道吗

  差分放大器最完美的状态是图1电路中的两个R1完全相等、两个R2完全相等，然而，我们无法找到两个阻值一模一样的电阻，常见的电阻也有1%的误差。这会使得电阻失配，将大大降低共模抑制比CMRR。...

  610次阅读 · 0评论 运算放大器差分放大器仪表放大器差分放大电路输入阻抗
  

• 一文解析SiC功率器件互连技术

  和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。...

  1422次阅读 · 0评论 MOSFET功率器件互连技术SiC碳化硅
  

• 关于电容电抗的三个实例分享

  随着施加到电容器的频率增加，其效果是降低其电抗（以欧姆为单位测量）。同样，当电容器两端的频率降低时，其电抗值也会增加。这种变化称为电容器的复阻抗。...

  711次阅读 · 0评论 电容器阻抗交流电路直流电压电容电抗
  

• 功率MOSFET的正反向导通等效电路图

  功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。...

  966次阅读 · 0评论 二极管MOSFET等效电路驱动电压
  

• 揭秘测温型NTC热敏电阻器的工作原理

  NTC热敏电阻器的阻值与温度的关系是近似符合指数函数规律的，并可做出电阻-温度特性曲线，阻值与温度成一一对应的关系，利用NTC热敏电阻器的这一阻温特性，可由测量电阻值而推算出温度的高低，它是NTC热敏电阻器测温的基础。...

  679次阅读 · 0评论 电阻单片机热敏电阻NTC电桥
  

• 快速掌握运算的4个经典电路分析

  由于运放的电压放大倍数很大，一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在 80dB 以上。而运放的输出电压是有限的，一般在 10 V～14 V。因此运放的差模输入电压不足 1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接近相等。...

  923次阅读 · 0评论 放大器pcb运放电路运算放大器

• IGBT导热机理及导热材料的作用

  根据 IGBT 热传导示意图所示，芯片内损耗产生的热能通过芯片传到外壳底座，再由外壳将少量的热量直接传到环境中去（以对流和辐射的形式），而大部分热量通过底座经绝缘垫片直接传到散热器，最后由散热器传入空气中。...

  1040次阅读 · 0评论 散热器散热片IGBT功率器件
  

• BUCK电路为何电感成为难点，而非简单的MOS管与三元件组合？

  什么是BUCK电路？BUCK电路就是降压斩波电路,是基本的DC-DC电路，用于直流到直流的降压变换；与之相对的是BOOST电路（BOOST电路...

  543次阅读 · 0评论 BUCKMOS管电感buck电路
  

• 模拟开关的作用、模拟开关的选择方法

  模拟开关由于其应用的信号链路为电子板低压工作环境，耐压值一般在15v以内，常见的有3.3v、5v、12v、15v等最大耐压值。选择时必须注意信号链路的最大电压与器件最大耐压值。...

  3395次阅读 · 0评论 导通电阻模拟开关等效电容RC滤波电路耦合电阻
  

• 如何从不同角度分析电容去耦原理

  从储能角度理解电容容易造成一种错觉，认为电容越大越好。而且容易误导大家认为储能作用发生在低频段，不容易向高频扩展。实际上，从储能角度理解，可以解释任何电容的功能。...

  477次阅读 · 1评论 电容电源系统寄生电感电容去耦
  

• 浅谈SiC晶体材料的主流生长技术

  在SiC晶体的扩径生长上比较困难，比如我们有了4英寸的晶体，想把晶体直径扩展到6英寸或者8英寸上，需要花费的周期特别长。...

  744次阅读 · 0评论 晶体SiC碳化硅
  
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