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英飞凌工业半导体

同名公众号致力于打造电力电子工程师园地,英飞凌功率半导体产品、技术和应用的交流平台,包括工程师应用知识和经验分享,在线课程、研讨会视频集锦。

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动态

  • 发布了文章 2024-12-11 01:03

    功率器件热设计基础(八)——利用瞬态热阻计算二极管浪涌电流

    /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。上一篇讲了两种热等效电路模型,Cauer模型和Foster模型,这一篇以二极管的浪涌电流为例,讲
  • 发布了文章 2024-12-10 01:00

    英飞凌推出新型EiceDRIVER™ Power全桥变压器驱动器系列,适用于结构紧凑、经济高效的栅极驱动器电源

    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出适用于IGBT、SiC和GaN栅极驱动器电源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全桥变压器驱动器系列。2EP1xxR系列扩大了英飞凌功率器件产品阵容,为设计人员提供了隔离式栅极驱动器电源解决方案。该系列半导体器件可以帮助实现非对称输出电压,以经济高效、节省空间的方式为隔离式栅极
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  • 发布了文章 2024-12-07 01:05

    新品 | 电动汽车充电直流-直流变换器次级用Easy模块

    新品电动汽车充电直流——直流变换器次级用Easy模块DDB2U60N07W1RF_B58和DDB2U60N12W3RF_C39EasyPACK封装图DDB2U60N12W3RF_C39EasyBRIDGE为1200V、60A整流模块,采用沟槽栅场终止技术IGBT7和CoolSiC肖特基二极管G51200V芯片,带NTC和PressFIT压接针脚技术。DDB2
  • 发布了文章 2024-12-06 01:02

    英飞凌全新一代氮化镓产品重磅发布,电压覆盖700V!

    作为第三代半导体材料的代表者,氮化镓(GaN)凭借其优异的电气性能、高热导率、电子饱和率和耐辐射性等特性,引领了全球功率半导体产业革新,随着氮化镓技术的不断成熟和应用领域的不断拓展,其市场规模正呈现出爆发式增长态势。英飞凌长期深耕氮化镓领域,再次推动了氮化镓革命,率先成功开发出了全球首个300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术,是全球首家在现有且可扩展的
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  • 发布了文章 2024-12-04 01:04

    新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T型三电平模块的先导产品

    新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三电平模块的先导产品EasyPACK封装图采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7P_B11和F3L500R12W3H7_H11扩展了Easy系列在1000VDC系统中产品组合,可以实现高开关频率应用。FS3L40R12W2H7P_B11EasyPACK2B
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  • 发布了文章 2024-12-03 01:03

    功率器件热设计基础(七)——热等效模型

    /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。有了热阻热容的概念,自然就会想到在导热材料串并联时,就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的
  • 发布了文章 2024-11-29 01:03

    新品 | 第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装

    新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD²PAK-7L封装采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技术的优势为基础,加快了系统设计的成本优化,实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进,适用于所有常见的交流-直流、直流-直流
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  • 发布了文章 2024-11-28 01:00

    英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件

    英飞凌近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN650VG5晶体管,该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓(GaN)产品组合。该新产品系列的适用范围广泛,包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源(SMPS)、可再生能源,以及家用电器中的电机驱动器。CoolGaN650VG5晶体管最新一代CoolGaN晶体管可直接替代Co
  • 发布了文章 2024-11-26 01:02

    功率器件热设计基础(六)——瞬态热测量

    功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。确定热阻抗曲线测量原理——Rth/Zth基础:IEC60747-9即GB/T29332半导体器件分立器件
  • 发布了文章 2024-11-24 01:01

    第三届电力电子科普作品创作大赛启航

    电力电子技术,这一在新能源发电、输配电及高效用电领域扮演着举足轻重角色的科技力量,已悄然渗透至我们生活的各个层面。它凭借高效的功率变换技术,不仅推动了生产活动的绿色节能转型,更让我们的生活变得更加舒适便捷,出行方式也更加环保无忧。然而,这位在幕后默默奉献的英雄——电力电子技术,却往往不为广大公众所熟知。身为电力电子行业的耕耘者,你是否曾梦想过以通俗易懂的语言

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