英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2024-12-06 01:02

  英飞凌全新一代氮化镓产品重磅发布，电压覆盖700V！

  

  作为第三代半导体材料的代表者，氮化镓(GaN)凭借其优异的电气性能、高热导率、电子饱和率和耐辐射性等特性，引领了全球功率半导体产业革新，随着氮化镓技术的不断成熟和应用领域的不断拓展，其市场规模正呈现出爆发式增长态势。英飞凌长期深耕氮化镓领域，再次推动了氮化镓革命，率先成功开发出了全球首个300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术，是全球首家在现有且可扩展的

  氮化镓 电压 英飞凌

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• 发布了文章 2024-12-04 01:04

  新品 | Easy2B Easy3B 1200V IGBT7 H7高速芯片的T型三电平模块的先导产品

  

  新品Easy2BEasy3B1200VIGBT7H7高速芯片的T型三电平模块的先导产品EasyPACK封装图采用最新一代TRENCHSTOPIGBTH7芯片的FS3L40R12W2H7P_B11和F3L500R12W3H7_H11扩展了Easy系列在1000VDC系统中产品组合，可以实现高开关频率应用。FS3L40R12W2H7P_B11EasyPACK2B

  三电平 高速芯片

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• 发布了文章 2024-12-03 01:03

  功率器件热设计基础（七）——热等效模型

  

  /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。有了热阻热容的概念，自然就会想到在导热材料串并联时，就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的

  功率器件 热设计 等效模型

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• 发布了文章 2024-11-29 01:03

  新品 | 第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装

  

  新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD²PAK-7L封装采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流

  MOSFET SiC

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• 发布了文章 2024-11-28 01:00

  英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件

  

  英飞凌近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN650VG5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。CoolGaN650VG5晶体管最新一代CoolGaN晶体管可直接替代Co

  分立器件 晶体管 氮化镓 英飞凌

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• 发布了文章 2024-11-26 01:02

  功率器件热设计基础（六）——瞬态热测量

  

  功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。确定热阻抗曲线测量原理——Rth/Zth基础：IEC60747-9即GB/T29332半导体器件分立器件

  功率器件 测量 热设计

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• 发布了文章 2024-11-24 01:01

  第三届电力电子科普作品创作大赛启航

  

  电力电子技术，这一在新能源发电、输配电及高效用电领域扮演着举足轻重角色的科技力量，已悄然渗透至我们生活的各个层面。它凭借高效的功率变换技术，不仅推动了生产活动的绿色节能转型，更让我们的生活变得更加舒适便捷，出行方式也更加环保无忧。然而，这位在幕后默默奉献的英雄——电力电子技术，却往往不为广大公众所熟知。身为电力电子行业的耕耘者，你是否曾梦想过以通俗易懂的语言

  电力电子 电源 英飞凌

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• 发布了文章 2024-11-23 01:04

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 650V G2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封装

  

  新品CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO247和TO247-4封装CoolSiCMOSFET650VG2，7mΩ，采用TO-247和TO-247-44引脚封装，以第1代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效、紧凑和可靠解决方案。CoolSiCMOSFET第2代在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常

  MOSFET SiC 封装

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• 发布了文章 2024-11-19 01:01

  功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容

  

  /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。热容热容Cth像热阻Rth一样是一个重要的物理量，它们具有相似的量纲结构。热容和电容，都是描述储

  功率半导体 功率器件 热设计

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• 发布了文章 2024-11-17 01:02

  第二届电力电子创作大赛圆满收官，优秀作品连连看！

  

  在新能源发电、输配电及高效用电领域，电力电子技术默默扮演着举足轻重的角色，却常隐于幕后，不为公众所广泛认知。为揭开这位科技巨擘的神秘面纱，中国电源学会科普工委与英飞凌科技（中国）有限公司共同主办第二届电力电子创作大赛，旨在深化公众对电力电子技术的认识与理解。自今年4月盛大启幕以来，大赛吸引了社会各界的广泛关注与积极参与。参赛阵容横跨学生、工程师、电力电子领域

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