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英飞凌工业半导体

同名公众号致力于打造电力电子工程师园地,英飞凌功率半导体产品、技术和应用的交流平台,包括工程师应用知识和经验分享,在线课程、研讨会视频集锦。

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动态

  • 发布了文章 2025-01-11 09:05

    第二届电力电子科普作品创作大赛斩获殊荣——荣获2024年全国科普日优秀活动表彰

    2024年12月27日,中国科协办公厅正式发布了《关于表彰2024年全国科普日优秀组织单位与活动的通知》,由中国电源学会科普工作委员会携手英飞凌科技(中国)有限公司精心策划的第二届电力电子科普作品创作大赛,斩获“2024年全国科普日优秀活动”殊荣。第二届大赛,我们鼓励参赛者围绕自身工作、学习及兴趣,用文字、视频、动漫等多种形式,展示电力电子技术在电源管理、电
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  • 发布了文章 2025-01-09 17:06

    新品 | 670V TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7带反并联二极管TO-247-3大爬电距离和电气间隙封装

    670VTRENCHSTOPIGBT7PR7带反并联二极管TO-247-3大爬电距离和电气间隙封装该产品专门针对RAC/CAC和HVAC等升压PFC电路进行了优化。它是TRENCHSTOPIGBT5的后续产品,具有更好的EMI特性、同类最佳的可靠性和坚固性,可为大功率和高开关频率应用提供先进的性能和更高的性价比。产品型号:■KW30N67PR7■IKW40N
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  • 发布了文章 2025-01-08 17:03

    英飞凌一站式方案助力热泵系统,全新高效功率器件震撼首秀

    随着全球能源转型和低碳经济的发展,建筑节能成为重要议题,热泵系统作为一种高效的供暖、制冷和热水供应方式,能够显著降低建筑能耗,提高能源利用效率,在现代社会中有着广泛的应用需求。然而,人们对居住环境舒适度的要求日益提高,热泵行业面临着一个共同挑战:如何实现安静、高效且可靠的热泵系统。英飞凌凭借多年的丰富经验,提供MCU控制器,不同封装的功率器件,以及GateD
  • 发布了文章 2025-01-06 17:05

    功率器件热设计基础(十一)——功率半导体器件的功率端子

    /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。功率器件的输出电流能力器件的输出电流能力首先是由芯片决定的,但是IGBT芯片的关断电流能力很强,
  • 发布了文章 2025-01-03 17:31

    应用指南导读 | 优化HV CoolGaN™功率晶体管的PCB布局

    作为宽禁带半导体,氮化镓(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成为现代功率电子领域的新宠。然而,GaN器件的高速开关行为也对PCB布局设计提出了巨大挑战。因此想要充分发挥GaN的潜力,我们必须理解和管理PCB布局产生的寄生阻抗,确保电路正常、可靠地运行,并且不会引起不必要的电磁干扰(EMI)。《优化HVCoolGaN功率晶体管的PCB布局》应用指南,
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  • 发布了文章 2025-01-02 17:41

    新品 | 3300V,1200A IGBT4 IHV B模块

    3300V,1200AIGBT4IHVB模块知名的IHVB3.3kV单开关IGBT模块经过了重大改进,以满足牵引和工业应用(如中压传动或HVDC)当前和未来的要求。其最新推出的产品组合类型是经过优化的IGBT和二极管比率,FZ1200R33HE4D_B9足以取代英飞凌和竞争对手的1500A3.3kV单开关。它采用TRENCHSTOPIGBT4和发射极可控EC
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  • 发布了文章 2024-12-31 17:06

    2024年度盘点:创新赋能,锐意前行

    2024年,面对充满挑战且不确定的市场环境,英飞凌始终秉持创新驱动技术领先的原则,不断突破技术与产品性能的边界,接连推出了多款重量级产品。今日,小编带你一起盘点2024年的高光时刻。全新2000VCoolSiCMOSFET和二极管,业界首发作为市面上第一款击穿电压达到2000V的碳化硅分立器件,全新推出的CoolSiCMOSFET2000V采用TO-247P
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  • 发布了文章 2024-12-30 19:33

    2024年度盘点:步履不停,载誉前行

    在充满挑战和不确定的2024年,英飞凌始终坚守以客户为中心的核心价值观,将满足客户需求作为企业发展的根本动力。这一年,英飞凌凭借创新的技术实力、可靠的产品质量,专业的客户支持,以及稳健的运营管理,赢得了客户的认可与赞誉。今日,小编带你一起盘点2024年的荣耀时刻。维谛技术:最佳产品质量奖特变电工:金牌战略合作伙伴奖株洲中车时代电气:技术协作奖施耐德电气:最佳
  • 发布了文章 2024-12-27 17:07

    新品 | CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV XHP™ 2半桥模块

    新品CoolSiCMOSFET3.3kVXHP2半桥模块XHP2CoolSiCMOSFET3.3kV集成体二极管、XHP2封装,采用.XT互联技术。产品型号:■FF2000UXTR33T2M1■FF2600UXTR33T2M1■FF4000UXTR33T2M1产品特点Inom大损耗低高开关频率体积小.XT连接技术I2t浪涌电流稳健性应用价值能源效率高功率密度
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  • 发布了文章 2024-12-26 17:06

    英飞凌:30年持续领跑碳化硅技术,成为首选的零碳技术创新伙伴

    2024年,全球极端天气频发,成为有气象记录以来最热的一年,飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下,推动社会的绿色低碳转型,提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。在经济社会踏“绿”前行的过程中,第三代半导体尤其是碳化硅作为关键支撑,如何破局飞速发展的市场与价格战的矛盾,除了当下热门的新能源汽车应用,如何在工业储能等其他应用市场多点开花?在日前举办的年度碳
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