英飞凌工业半导体

动态

• 发布了文章 2023-07-31 17:56

  200kW储能用EasyPACK™ 3B三电平模块

  

  新品200kW储能用EasyPACK3B三电平模块F3L225R12W3H3_B11NPC1三电平EasyPACK3B模块采用1200VHIGHSPEED3IGBT芯片和EmCon7二极管。它为ESS双向功率变换进行了优化，两个并联模块，可以实现200千瓦1500VDC功率变换。相关器件：F3L225R12W3H3_B11产品特点采用PressFIT技术的E

  三电平 储能 模块

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• 发布了文章 2023-07-31 17:55

  6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiC MOSFET）

  

  新品6.5A，2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路，用两个栅极驱动IC1ED3142MU12F来驱动IGBT、MOSFET和SiCMOSFET等功率开关。该板预装了两个CoolSiCSiCMOSFETIMZA120R020M1H，一个额外的栅极驱动IC用于隔离从上桥臂到逻辑控制侧

  MOSFET SiC 评估板

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• 发布了文章 2023-07-31 17:30

  英飞凌的SiC MOS需要负压吗

  

  IPAC|2023年度英飞凌碳化硅直播季第一场直播于5月23日顺利结束。直播中英飞凌的三位工程师孙辉波、赵佳、郝欣与大家探讨了CoolSiC沟槽栅MOSFET的设计理念、高性能封装互联方案.XT、冷切割技术与应用。直播时间有限，未能回答全部观众问题，在此针对一些遗漏问题进行回答。如果大家还有任何问题，欢迎在文末留言，我们会及时回复。点击下方视频即可回看沟槽栅

  MOS SiC 英飞凌

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• 发布了文章 2023-07-31 16:57

  新品 | 用于高速开关应用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET

  

  新品用于高速开关应用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增强型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。产品型号：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低

  MOSFET 高速开关

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• 发布了文章 2023-07-06 10:07

  零碳故事丨新能源“东风”下的第三代半导体

  

  来源：内容转自公众号21tech（News-21），作者：李强。于代辉英飞凌科技高级副总裁英飞凌科技零碳工业功率事业部大中华区负责人减碳趋势下的节能、高效需求同样给第三代半导体的登场搭好了舞台。过去一段时间，尽管全球消费电子市场持续低迷，存储芯片等各类半导体零部件的需求明显减少，但广泛用于光伏、风电等领域的功率半导体市场却异常热闹。特别是在能源转型的巨大需求

  半导体 新能源

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• 发布了文章 2023-07-01 10:10

  晶闸管在UPS旁路应用中的损耗计算

  

  功率晶闸管广泛应用于AC/DC变换器，UPS旁路等场合。本文通过公式计算和在线IPOSIM仿真两种方式，对晶闸管在UPS旁路应用中的损耗计算和结温预估进行说明，给广大工程师在晶闸管选型时提供帮助。晶闸管在AC/DC整流应用中的损耗计算，请参考微信文章《PIM模块中整流桥的损耗计算》。晶闸管是半控型电力电子器件，可通过门极在晶闸管承受正向阳极电压时，控制晶闸管

  UPS 晶闸管

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• 发布了文章 2023-06-30 10:08

  抢占席位｜2023英飞凌宽禁带应用技术发展论坛

  

  主办单位：英飞凌科技（中国）有限公司协办单位：慕尼黑展览（上海）有限公司合作媒体：世纪电源网、电源网：7月11日：上海国家会展中心伴随科技高速发展，随之带来的气候和能源挑战愈演愈烈。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带功率半导体在光伏风能发电、储能、大数据、5G通信、新能源汽车等领域或将迎来前所未有的黄金发展期。如何促进宽禁带半导体在集成电路领域的融合创新？如何提

  宽禁带 英飞凌

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• 发布了文章 2023-06-22 10:14

  英飞凌的 CoolSiC™ XHP™ 2 高功率模块助力推动节能电气化列车低碳化

  

  为了实现全球气候目标，交通运输必须转用更加环保的车辆，比如节能的电气化列车。然而，列车运行有苛刻的运行条件，需要频繁加速和制动，且要在相当长的使用寿命内可靠运行。因此，它们需要采用具备高功率密度、高可靠性和高质量的节能牵引应用。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为了满足上述需求，在其CoolSiC功率模块产品组合中增加了两款

  电气 英飞凌

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• 发布了文章 2023-06-08 08:16

  采用SiC MOSFET的高性能逆变焊机设计要点

  

  /引言/近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiCMOSFET1200V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。文：英飞凌科技高级应用工程师JorgeCerezo逆变焊机通常是通过IGBT功率模块解决方案设计来实

  MOSFET SiC

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• 发布了文章 2023-05-27 08:16

  提升新能源车电驱方案中单管封装的散热性能

  

  经典单管TO直插封装有两类TO-220和TO-247，其使逆变器系统并联扩容灵活，器件成本优势明显，且标准封装容易找替代品，广泛应用于中小功率范围。在单管电驱应用方案中可以覆盖30kW到180kW功率范围，最多需要6-8个单管的并联来实现方案。用于最新汽车级EDT2芯片的器件参数Vcesat/Vth分布比较集中，器件之间电气参数差异小，并联降额比例小，可以有

  封装 新能源

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