英飞凌工业半导体

动态

• 发布了文章 2022-04-23 01:42

  新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM

  

  新品CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模块CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模块具有优化的性能和紧凑的封装，可用于额定功率达1.5HP的逆变器产品规格：IM323系列的新成员是专门为家用空调和家用电器应用设计的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模块具有优化的性能和紧凑的封装，可用于额定功率达1

  IGBT IPM

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• 发布了文章 2022-04-20 01:27

  新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET产品

  

  新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低欧姆产品CoolSiC1200VSiCMOSFET低欧姆产品，采用TO247封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用.XT互连技术，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的热耗散性能。产品规格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封装CoolSiC12

  MOSFET

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• 发布了文章 2022-04-19 01:24

  无磁芯变压器(CT)隔离驱动芯片技术优势及产品系列

  

  在之前的技术文章中，介绍了驱动芯片的概览，PN结隔离(JI)技术，SOI驱动芯片技术等非隔离的驱动技术，本文会继续介绍英飞凌的无磁芯变压器(CT)隔离驱动芯片技术。在隔离器件的技术上，有三种主流的隔离技术，分别是光隔离，电容隔离和变压器隔离。顾名思义，其隔离的介质分别是光，电场信号和磁信号，隔离器件的使用及其广泛，从输入输出接口，通讯端口，到功率器件的栅极驱

  芯片

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• 发布了文章 2022-04-16 01:38

  IGBT驱动电流行为综述

  

  IGBT驱动需要电流：IGBT是一种电压驱动的电子开关，正常情况下只要给15V电压就可以饱和导通，实际器件的驱动是给栅极端口电容充放电，还是需要电流的。IGBT驱动电流峰值电流取决于栅极总电阻，电流取决于栅极电荷，但我们一般讲的是峰值电流。驱动的峰值电流很好理解，按照欧姆定律，由驱动电压和驱动电阻决定：但在小阻值驱动回路中，实际测得驱动电流一般比上述公式计算

  IGBT

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• 发布了文章 2022-04-15 01:29

  高集成度功率电路的热设计挑战

  

  前言目前随着科学技术和制造工艺的不断发展进步，半导体技术的发展日新月异。对于功率半导体器件而言，其制造工艺也同样是从平面工艺演变到沟槽工艺，功率密度越来越高。目前功率半导体器件不仅是单一的开关型器件如IGBT或MOSFET器件类型，也增加了如智能功率模块IPM等混合型功率器件类型。在IPM模块中既集成有功率器件，还集成了驱动器和控制电路IC，这样的功率半导体

  MOSFET 半导体技术 功率电路

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• 发布了文章 2022-04-12 01:27

  隔离型驱动的新势力：英飞凌无磁芯变压器(CT:Coreless Transformer)隔离型驱动

  

  一提到隔离型驱动，不少硬件研发工程师就会先入为主想到光耦。可光耦真的是唯一选择吗？伴随着全球电气化和数字化的趋势，电力电子技术的发展也日新月异：功率器件开关频率进一步提高，宽禁带器件使用方兴未艾，终端应用环境更加复杂恶劣，这些都对隔离型驱动的性能和可靠性提出了全新的挑战。而英飞凌隔离型驱动的超强性能正好满足了这些挑战：＋无磁芯变压器隔离技术基于磁耦合的电气隔

  英飞凌 驱动器

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• 发布了文章 2022-04-08 01:25

  如何正确理解功率循环曲线

  

  近年来IGBT的可靠性问题一直受到行业的广泛关注，特别是风力发电、轨道交通等应用领域。IGBT的可靠性通常用以芯片结温变化为衡量目标的功率循环曲线和基板温度变化为衡量目标的温度循环曲线来评估。引起IGBT可靠性问题的原因主要是IGBT是由多种膨胀系数不同的材料焊接在一起，工作过程中温度的变化会引起结合点的老化，以及绑定线在工作过程中热胀冷缩；另外绑定线的成分

  IGBT

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• 发布了文章 2022-04-07 01:25

  SiC，30年意味着什么？

  

  沈璐英飞凌工业功率控制事业部大中华区高级市场总监一直以来英飞凌都在积极推进创新，在功率器件领域的创新使得我们已经连续18年位列市场份额第一。无论是从创新还是从企业社会责任角度出发，英飞凌都会不遗余力地在碳化硅领域做出自己的贡献。据Yole预测，碳化硅市场规模有望在2025年超过25亿美金，年复合增长率超过30%，其中可再生能源和新能源汽车等都是碳化硅极有前景

  英飞凌 SiC

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• 发布了文章 2022-04-02 01:41

  绝缘体上硅（SOI）驱动芯片技术优势及产品系列

  

  在之前的技术文章中，介绍了驱动芯片的概览和PN结隔离(JI)技术，本文会继续介绍英飞凌的绝缘体上硅（SOI）驱动芯片技术。高压栅极驱动IC的技术经过长期的发展，走向了绝缘体上硅（silicon-on-insulator，简称SOI），SOI指在硅的绝缘衬底上再形成一层薄的单晶硅，相对于传统的导电型的硅衬底，它有三层结构，第一层是厚的硅衬底层，用于提供机械支撑

  芯片 SOI

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• 发布了文章 2022-04-01 01:23

  新品 | 通用分立功率半导体测试评估平台

  

  活动预告今天下午晚4点（北京时间），英飞凌将于线上举办“工业宽禁带半导体开发者论坛”。活动将持续6个小时，更有英飞凌总部资深专家从技术和应用角度深度解析宽禁带半导体，与大家共同迎接新器件的设计挑战！（详情请戳：报名|工业宽禁带半导体开发者论坛）快扫描下方二维码报名活动，并获取详细论坛议程吧！（论坛为英文演讲）新品通用分立功率半导体测试评估平台型号为EVAL_

  测试 半导体

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