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英飞凌工业半导体

同名公众号致力于打造电力电子工程师园地,英飞凌功率半导体产品、技术和应用的交流平台,包括工程师应用知识和经验分享,在线课程、研讨会视频集锦。

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动态

  • 发布了产品 2023-01-04 10:01

    新品 | 采用IPM IM323 1500W电机驱动的评估板

    产品型号:EVAL-M1-IM323
    699浏览量
  • 发布了文章 2023-01-04 09:45

    探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性

    SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同,这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说,输出电容的影响较大,而PN二极管的双极电荷影响较小。本文探讨了SiC MOSFET的独有特性以及影响体二极管关断特性的多个影响因素,并且阐明了快速开关应用中SiC MOSFET的反向恢复损耗概
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  • 发布了文章 2022-05-27 01:47

    鱼与熊掌皆可得?当SiC MOSFET遇上2L-SRC

    引言事物皆有两面:SiCMOSFET以更快的开关速度,相比IGBT可明显降低器件开关损耗,提升系统效率和功率密度;但是高速的开关切换,也产生了更大的dv/dt和di/dt,对一些电机控制领域的电机绝缘和EMI设计都带来了额外的挑战。应用痛点氢燃料系统中的高速空压机控制器功率35kW上下,转速高达10万转以上,输出频率可达2000Hz,调制频率50kHz以上是
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  • 发布了文章 2022-05-26 02:14

    IGBT窄脉冲现象解读

    什么是窄脉冲现象IGBT作为一种功率开关,从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间,就像生活中开关门太快容易挤压手一样,过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着IGBT被高频PWM调制信号驱动时,时常会无奈发生,占空比越小越容易输出窄脉冲,且IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续流时反向恢复特性也会变快。以1700V/1000A
    2.6k浏览量
  • 发布了文章 2022-05-24 05:30

    Tvj - IGBT元宇宙中的结温

    ///在IGBT应用中,结温是经常使用的一个参数,大部分读者应该都很熟悉这个概念,但是这和元宇宙有什么关系呢?我想先请大家考虑一个问题:IGBT结温到底是指具体哪儿的温度?。。。你们是不是已经开始上百度搜索答案了?我在百度百科以及维基百科搜索出结温的解释大概是这样的:晶体管结温,简称结温,是指半导体芯片内的最高工作温度,通常芯片的结温会比芯片的外壳高。。。原
    4.2k浏览量
  • 发布了文章 2022-05-24 05:26

    新品 | 沟槽栅 2000/3000A 4500V 125mm平板型压接式IGBT

    新品沟槽栅2000/3000A4500V125mm平板型压接式IGBT沟槽栅2000/3000A4500V125mm平板型压接式IGBT相关器件:P2000DL45X1682000A4500V带续流二极管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不带续流二极管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar扩展了其高
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  • 发布了文章 2022-05-24 05:24

    如何计算驱动芯片的desat保护时间

    SiCMOSFET短路时间相比IGBT短很多,英飞凌CoolSiCMOSFET单管保证3us的短路时间,Easy模块保证2us的短路时间,因此要求驱动电路和的短路响应迅速而精确。今天,我们来具体看一下这个短而精的程度。图1是传统典型的驱动芯片退饱和检测原理,芯片内置一个恒流源。功率开关器件在门极电压一定时,发生短路后,电流不断增加,导致器件VCE电压迅速提升
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  • 发布了文章 2022-05-13 01:25

    IGBT门极驱动到底要不要负压

    先说结论,如果条件允许还是很建议使用负压作为IGBT关断的。但是从成本和设计的复杂度来说,很多工程师客户希望不要使用负压。下面我们从门极寄生导通现象来看这个问题。IGBT是一个受门极电压控制开关的器件,只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关,在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。电压变化Dv/dt通过米勒电容CCG
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  • 发布了文章 2022-05-10 01:25

    英飞凌精彩亮相欧洲PCIM 2022:尽享非凡功率

    PCIM欧洲始于1979年的德国纽伦堡,是全球电力电子行业的顶级展会及研讨会,已有40年多年历史。在这一行业盛会上,全球从业者齐聚一堂,展示与交流电力电子技术和应用。来自学术界和工业界的专家在这里发布最新的研究成果和新产品,内容从器件、驱动控制、封装技术到最终系统,涵盖整个生态链。英飞凌将亮相PCIM2022(5月10日至12日,德国纽伦堡),展示功率半导体
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  • 发布了文章 2022-05-08 01:46

    如何拓展IGBT驱动器电流

    功率半导体驱动电路是集成电路的一个重要子类,功能强大,用于IGBT的驱动IC除了提供驱动电平和电流,往往带有驱动的保护功能,包括退饱和短路保护、欠压关断、米勒钳位、两级关断、软关断、SRC(slewratecontrol)等,产品还具有不同等级的绝缘性能。但作为集成电路,其封装决定了最大功耗,驱动IC输出电流有的可以做到10A以上,但还是不能满足大电流IGB
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