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• 发布了文章 2024-10-29 10:54

  意法半导体发布第四代STPower硅碳化物MOSFET技术

  

  意法半导体(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技术，标志着在高效能和高功率密度领域的又一重大进展。新一代MOSFET不仅在电动汽车中具有广泛应用潜力，也适用于各类高压和高功率密度的工业应用。新发布的MOSFET特别针对电动汽车的牵引逆变器，这是电动汽车动力系统中不可或缺的部分，负责将电池组中的

  MOSFET SiC 半导体

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• 发布了文章 2024-10-29 10:52

  为什么WBG材料是5G系统未来发展的关键?

  

  电力半导体正在显著影响下一代网络的发展。宽带隙(WBG)半导体材料在电信系统中的集成正在成为支持和增强5G基础设施的战略解决方案。在连接性方面，WBG半导体相较于传统硅设备具有显著优势，使其成为先进电信环境中理想的应用材料。随着时间推移，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在5G基础设施中的重要性不断上升，这得益于这些材料固有的技术特性，以及在能源效率和热管理

  5G SiC 半导体

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• 发布了文章 2024-10-28 11:27

  全球成熟制程晶圆代工产能预计将增长6%

  

  根据TrendForce集邦咨询的最新调研，预计到2025年，全球成熟制程的晶圆代工产能将增长6%。这一数据不仅反映了当前半导体行业的趋势，也揭示了先进制程与成熟制程之间的明显需求分化。随着人工智能、5G和高性能计算等新兴技术的迅速发展，半导体市场正在经历重要的转型。在先进制程领域，5/4nm和3nm技术的需求持续旺盛。AI服务器、高性能计算(HPC)芯片以

  半导体 晶圆 芯片

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• 发布了文章 2024-10-28 11:25

  高压电池断开开关的未来：氮化镓技术能否解决关键挑战?

  

  目前市场上的电动车使用的是400V和800V的电池，标称电流超过200安培。如果这些高压和高电流连接到车身或任何导电部件上，可能会导致致命风险。为了防止这种情况的发生，制造商采用高压高电流直流接触器继电器，将电池的正负极与高压电路网断开，如图1所示。图1继电器的挑战如果使用继电器为并联于逆变器的直流链路电容充电，则需要预充电电路，该电路的涌入电流取决于电容的

  开关 氮化镓 高压电池

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• 发布了文章 2024-10-25 11:58

  N通道和P通道场效应晶体管(FET)之间的区别是什么?

  

  晶体管是现代电子电路中至关重要的半导体器件。它们可以执行两种主要功能。首先，作为其真空管前身三极管，晶体管可以放大电信号。其次，晶体管可以作为计算机的信息处理和存储的开关设备。场效应晶体管是控制电流通过电场的半导体器件。晶体管不仅可以放大电信号，还可以作为开关设备。计算机利用晶体管的开关能力进行算术和逻辑运算以及信息存储。它们使用二进制代码——以基数2书写的

  FET p通道 场效应管 晶体管

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• 发布了文章 2024-10-25 11:53

  Wolfspeed暂停德国SiC晶圆厂建设，德国半导体招商引资再遭重创

  

  近期，美国半导体公司Wolfspeed宣布暂停在德国恩斯多夫(Ensdorf)建设碳化硅(SiC)晶圆厂的计划，此举引发了业界的广泛关注。Wolfspeed的决定恰逢英特尔也因营运危机而搁置马格德堡建厂案，进一步凸显了当前德国半导体产业面临的投资挑战。Wolfspeed原计划在德国投资30亿欧元，旨在增强其在碳化硅材料领域的生产能力，以满足电动车和新能源行业

  SiC Wolfspeed 半导体 场效应管

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• 发布了文章 2024-10-24 11:13

  2024年全球硅晶圆市场回暖：SEMI预测出货量将稳步增长

  

  近日，半导体行业协会(SEMI)发布了其最新的年度硅晶圆出货量预测报告，展现出全球硅晶圆市场的积极信号。报告指出，经历了去年的14.3%跌幅后，今年全球硅晶圆出货量的下跌幅度将显著收窄，仅下降2.4%。这一趋势不仅反映出市场的恢复力，还显示出在人工智能(AI)和先进制程等领域的强劲需求。硅晶圆作为大多数半导体产品的基础构建材料，扮演着至关重要的角色。半导体本

  SEMI 半导体 硅晶圆

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• 发布了文章 2024-10-24 11:11

  BiGaN开关在广泛电源管理中的应用

  

  保护USB端口、为来自不同源的设备切换电路、以及高侧负载开关免受浪涌影响，都依赖于双向电压阻断和电流导通。到目前为止，设计人员只能使用两个N型MOSFET以背靠背的方式连接在共同源极配置中来实现这一目的。这种方法涉及两个组件，并因导通电阻(RDS(on))、安全工作区(SOA)及其他特性而受到限制(见图1)。双向氮化镓(BiGaN)开关是一种创新的解决方案，

  GaN MOSFET 电源管理

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• 发布了文章 2024-10-23 11:37

  中国新能源汽车与光伏市场推动SiC衬底价格剧烈波动

  

  2024年，中国新能源汽车和光伏市场的快速发展引发了SiC(碳化硅)衬底价格的显著下跌。今年，SiC衬底的价格已下降近30%，并预计到2024年中期将降至500美元以下。这一变化不仅影响了相关制造商的财务状况，也反映出行业内潜在的供需矛盾。SiC衬底作为半导体行业的重要材料，其成本占整个生产链的70%，其中衬底本身几乎占据了50%的成本比重。这意味着SiC衬

  SiC 光伏 新能源汽车

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• 发布了文章 2024-10-23 11:35

  如何通过高压SiC电池断开开关提升电气系统的可靠性与效率

  

  电气系统的直流母线电压在400伏特或更高，由单相或三相电网电源或能量存储系统(ESS)供电，可以通过固态电路保护提高其可靠性和韧性。在设计高压固态电池断开开关时，需要考虑多个基本设计决策。关键因素包括半导体技术、器件类型、热包装、器件的稳健性，以及在电路中断时管理感应能量。本文将讨论在选择高压高电流电池断开开关的功率半导体技术和定义半导体封装时的设计考虑，以

  SiC 电气系统 电池

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