深圳市浮思特科技有限公司

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• 发布了文章 2024-10-11 11:19

  浮思特 | 宽带隙半导体技术能否引领汽车行业的电动化革命？

  

  开关模式电源(SMPS)通过将开关与能量存储元件相结合，实现了电压或电流调节。这项技术最初在20世纪引入，最早使用机械开关、真空管，最后使用基于半导体的开关。存储元件的大小与能量存储需求成正比，而这种需求则由转换器的功率要求和工作频率决定。因此，提高转换器的工作频率可以减少能量存储元件的体积，这直接影响到转换器的总体积、功率密度和成本。通过使用宽带隙(WBG

  半导体 汽车 电动化

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• 发布了文章 2024-10-10 11:51

  如何通过创新的参数识别(PI)方法优化功率模块性能？

  

  在最近举行的PCIMEurope2024会议上，介绍了一种通过在高压门驱动器中实施参数识别(PI)模式来优化功率模块性能的新方法。将参数识别功能集成到门驱动器中的结果显示，在能源效率和系统稳健性方面具有显著的好处。高压门驱动器的考虑因素碳化硅(SiC)功率模块为高压应用提供了一个引人注目的替代传统硅(Si)设备的选择。由于其高击穿电压和在高开关频率下运行的能

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• 发布了文章 2024-10-09 11:16

  功率半导体市场复苏迹象明显，行业需求回暖

  

  近期，功率半导体市场传出逐步走出谷底的消息，引起业内广泛关注。多家国内半导体企业表示，市场需求开始回升，尤其是在低压与中压功率器件领域，业者们对未来的市场前景持积极态度。

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• 发布了文章 2024-10-09 11:12

  SiC和GaN：新一代半导体能否实现长期可靠性?

  

  近年来，电力电子应用中硅向碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的转变越来越明显。在过去的十年中，SiC和GaN半导体成为了推动电气化和强大未来的重要力量。得益于其固有特性，宽禁带半导体正在逐渐取代许多电力应用中的传统硅基设备。硅的时代已经过去，其应用的可靠性一直很高。如今，有必要验证这两种新型半导体在长期使用中是否能够提供相同的安全前景，以及它们在未来是否会成

  GaN SiC 半导体

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• 发布了文章 2024-10-08 11:28

  全球MCU市场规模持续增长，中国OEM厂商崛起

  

  近日，知名市场研究机构YoleGroup发布了一份关于全球微控制器(MCU)市场的详细报告。该报告预测，随着科技的飞速发展和各行业的数字化转型，全球MCU市场规模预计将持续增长，到2029年将达到388亿美元，彰显出这一领域的强劲发展势头。值得注意的是，中国作为主要的新兴市场之一，在MCU领域的发展尤为引人注目。近年来，中国的主要OEM(原始设备制造商)厂商

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• 发布了文章 2024-10-08 11:26

  如何克服裸芯片动态特性表征中的挑战，实现高效测量?

  

  功率半导体器件以多种形式使用——封装为表面贴装器件(SMD)或功率模块——广泛应用于各种场景。功率半导体中包含的裸芯片必须在被放入封装或功率模块之前进行特性表征，以加速开发。然而，裸芯片的尺寸小、结构脆弱，以及探针引起的寄生效应，使得这一过程面临多重挑战。功率半导体器件最初在晶圆上制造，之后进行切割和封装，才能用于实际的电力电子电路。在制造过程的早期阶段进行

  SMD 功率模块 芯片

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• 发布了文章 2024-09-06 11:39

  如何通过第八代IGBT技术推动可再生能源的未来?

  

  绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术对于高功率应用中的高效率至关重要，特别是在阻断电压超过600V的情况下。可再生能源领域，如光伏(PV)和储能系统(ESS)，在应对全球变暖方面取得了显著增长，推动了对功率半导体的需求。对高功率等级逆变器的需求正在增加。工程师必须在有限的空间内设计高功率系统，这就需要IGBT模块在保持既定封装尺寸的同时提供更高的输出功率。201

  IGBT 可再生能源 晶体管

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• 发布了文章 2024-09-05 11:29

  全球半导体行业迎来强劲复苏，AI浪潮成关键驱动力

  

  据美国半导体产业协会(SIA)发布的最新数据显示，7月全球半导体行业销量实现了显著增长，当月销售额飙升至513亿美元，较去年同期的432亿美元大幅增长了18.7%，环比增长也达到了2.7%。这一积极信号标志着半导体市场在经历了一段时间的波动与挑战后，正式步入复苏快车道。这一轮复苏的背后，AI人工智能技术的蓬勃发展无疑扮演了至关重要的角色。随着AI技术的不断突

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• 发布了文章 2024-09-05 11:25

  同步整流如何提升电源转换器的性能和效率

  

  同步整流(Synchronous Rectification，简称SR)是一种电源设计技术，通过用MOSFET替代传统二极管来提高效率和性能。与使用肖特基二极管的非同步转换器不同，SR使用MOSFET代替二极管，从而减少电压降和功率损耗。

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• 发布了文章 2024-09-03 10:39

  罗姆半导体推动SiC MOSFET技术进步，与吉利汽车展开深度合作

  

  近日，罗姆半导体(ROHM)宣布其第四代SiCMOSFET成功应用于吉利电动车品牌极氪的三款车型中，标志着双方合作进入了一个新的发展阶段。这项合作不仅展示了罗姆在SiC技术领域的持续创新，也为电动汽车行业提供了更高效的解决方案。吉利与罗姆的合作已持续六年，此次合作的亮点在于首次将SiC元件引入极氪车型。具体而言，这三款车型包括了运动型多功能车(SUV)“X”

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