英飞凌工业半导体

动态

• 发布了文章 2024-09-14 08:04

  英飞凌助力奇点能源，打造高效可靠的工商业储能解决方案

  

  近日，英飞凌宣布携手西安奇点能源股份有限公司，将为其提供业界领先的1200V450AEconoDUAL3功率模块，用于215kW工商业及源网侧eblock储能应用，依托于英飞凌TRENCHSTOPIGBT7创新的产品，助力奇点能源打造高可靠、高效率的储能PCS系统。英飞凌推出的EconoDUAL3中功率IGBT模块封装，自面世以来，迅速赢得业界认可，成为市场

  IGBT 储能 英飞凌

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• 发布了文章 2024-09-13 08:04

  英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革

  

  ●凭借这一突破性的300mmGaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长●利用现有的大规模300mm硅制造设施，英飞凌将最大化GaN生产的资本效率●300mmGaN的成本将逐渐与硅的成本持平英飞凌科技股份公司今天宣布，已成功开发出全球首项300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项

  半导体 氮化镓 英飞凌

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• 发布了文章 2024-09-12 08:04

  直播预告 | 电气隔离新势力——英飞凌新型SSI系列固态隔离器的创新技术与应用设计

  

  英飞凌最新推出的SSI系列固态隔离器面向交流和直流固态继电器、可编程逻辑控制器、智能楼宇和家庭自动化系统（温控器、照明、供暖控制）、工业自动化和控制、仪器设备、电池管理系统、配电柜等等多个领域。其创新技术在兼顾可靠性和稳定性的同时，并实现电路设计简化和成本降低。通过研讨会，您将了解：技术革新亮点：详细介绍英飞凌最新固态隔离器的核心技术优势，以及在快速开通和关

  电气 英飞凌 隔离器

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• 发布了文章 2024-09-10 08:03

  新品 | 6500V、1000A 单开关 IGBT 模块 FZ1000R65KE4

  

  新品6500V、1000A单开关IGBT模块FZ1000R65KE46500V1000A，190mmIHV单开关IGBT模块采用IGBT4沟槽栅场终止技术，是HVDC-VSC、牵引和工业应用的最佳解决方案。产品特点低VCEsat碳化硅铝基板存储温度低至-55°CCTI600应用价值实现紧凑型逆变器设计低功率损耗标准化封装竞争优势高性能坚固可靠低功率损耗应用领

  IGBT 模块 逆变器

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• 发布了文章 2024-09-05 08:03

  新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服电机的驱动器

  

  新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服电机的驱动器REF-DR3KIMBGSIC2MA是为集成伺服电机的驱动器应用而开发的升级版逆变器和栅极驱动器板。设计用于评估采用TO-263-7封装的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作为三相逆变器板的功率开关。驱动电路采用了具有米勒钳位功能的EiceDRI

  MOSFET 伺服电机 驱动器

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• 发布了文章 2024-09-04 08:02

  两位IEEE Fellow授课│第三代半导体器件技术与应用高级研修班10月上海开班

  

  来源：内容来自中国电源学会01组织机构主办单位：中国电源学会承办单位：中国电源学会科普工作委员会、英飞凌-上海海事大学功率器件应用培训和实验中心、上海临港电力电子研究院02培训时间地点2024年10月11-13日中国(上海)自由贸易试验区临港新片区上海海事大学物流工程学院03培训介绍培训内容本课程旨在全面系统深入地介绍第三代功率半导体新技术的发展，重点讲授碳

  半导体器件 氮化镓 电力电子

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• 发布了文章 2024-09-03 08:02

  新品 | 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列

  

  新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飞凌最新推出的600VCoolMOS8引领着全球高压超级结MOSFET技术的发展，在全球范围内树立了技术和性价比标准。CoolMOS8是英飞凌新一代硅基MOSFET技术，旨在取代现有的高/低功率开关电源（SMPS）的CoolMOS7产品系列（包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7）。它也是CoolGa

  MOS MOSFET 英飞凌

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• 发布了文章 2024-08-30 12:25

  离网场景下SiC MOSFETs应用于三相四桥臂变流器的优势

  

  *本论文摘要由PCIM官方授权发布/摘要/工商业侧储能正以其经济性，电网友好性等特点蓬勃发展，其中离网应用场景下，不平衡负载带载能力，谐波畸变度等都是其PCS的重要指标。三相四桥臂（3P4L）变流器具有最强的不平衡负载能力，但对比三相三线（3P3W）系统，成本增加，谐波畸变度更高。SiCMOSFETs由于其优越的材料特性与器件特性，相较IGBT可大幅提升开关

  MOSFET SiC 变流器

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• 发布了文章 2024-08-30 12:24

  新品 | EiceDRIVER™ 2ED314xMC12L 6.5 A、5.7 kV（有效值）双通道隔离栅极驱动器

  

  新品EiceDRIVER2ED314xMC12L6.5A、5.7kV（有效值）双通道隔离栅极驱动器EiceDRIVER2ED314xMC12L是一个双通道隔离栅极驱动器IC系列，用于驱动SiMOSFET、IGBT和SiCMOSFET。所有产品均采用14引脚DSO封装，输入-输出爬电间距为8mm，加强绝缘。所有型号都具有死区时间控制（DTC）功能和独立驱动通道

  MOSFET SiC 驱动器

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• 发布了文章 2024-08-30 12:24

  系统寄生参数对SiC器件开关的影响分析

  

  *本论文摘要由PCIM官方授权发布/摘要/本文分析了系统寄生参数对SiC(碳化硅)器件使用的影响。本文还研究了SiCMOS开关开通时的过流机理，以及开通电流振荡的原因。除了寄生电感对功率器件电压应力的影响外，本文还讨论了系统设计中寄生电容对开通电流应力、电流振荡和开通损耗的负面影响。01导言随着SiC技术的发展和电力电子行业的增长，SiC器件越来越受到工程师

  MOS sic器件 二极管

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