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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块2024-06-14 11:36

    近日,半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC™产品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流的特性,这意味着开关过程中的损耗极低
  • 使用快速恢复二极管MOSFET在电源中的应用2024-06-14 11:35

    “超级结”技术由于其优越的品质因数,已经在击穿电压超过600V的功率MOSFET市场中占据主导地位。在设计基于超级结的功率器件时,工程师必须考虑一些因素,以提高电源应用中的效率、功率密度和可靠性。工程考虑因素如图1所示,首先需要考虑的是P列从基区延伸,形成漂移区的“电荷平衡”,以实现更高的掺杂浓度,即相应区域的更低电阻。延伸的结区域带来了过多反向恢复电荷的缺
    MOSFET 二极管 电源 480浏览量
  • 电子元件市场展望乐观,下半年将迎来强劲增长?2024-06-13 11:40

    根据最新的ECST(电子元件状态调查)报告,2024年下半年电子元件销售前景乐观,预计将实现强劲增长。尽管5月份的调查显示半导体、被动元件和机电元件的销售信心受到一定打击,但6月的展望显示市场将迎来积极反弹。在5月份的调查中,半导体领域的销售信心得分下滑明显,跌幅超过18点。被动元件和机电元件虽然跌幅较小,但也呈现出市场下滑的趋势。然而,这种短暂的低迷并未持
  • 一文读懂MOSFET开关损耗介绍2024-06-13 11:38

    MOSFET的操作可以分为两种基本模式:线性模式和开关模式。在线性模式下,晶体管的栅源电压足以使电流通过通道,但通道电阻相对较高。通道上的电压和通过通道的电流都很大,导致晶体管内的功耗很高。在开关模式下,栅源电压要么低到足以阻止电流流动,要么高到足以使FET进入“完全增强”状态,此时通道电阻大大降低。在这种状态下,晶体管像一个闭合开关:即使有大电流通过通道,
    MOSFET 开关损耗 晶体管 1139浏览量
  • 全球掀起8英寸SiC投资热潮,半导体产业迎来新一轮技术升级2024-06-12 11:04

    随着全球半导体产业的快速发展,碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而备受瞩目。近期,8英寸SiC晶圆投资热潮更是席卷全球,各大半导体厂商纷纷加大投入,积极布局这一新兴产业。8英寸SiC晶圆相较于传统的6英寸晶圆,具有更高的生产效率和更低的成本。据行业专家分析,从6英寸升级到8英寸,虽然单片晶圆成本有所增加,但由于每片晶圆中可用的裸片数量大幅增加,产量更高,最终
    SiC 半导体 晶圆 369浏览量
  • 功率半导体技术如何助力节碳减排2024-06-12 11:03

    相信大家都知道,全球气候变暖问题日益严重,节碳减排已经成为了全球的共同使命。而功率半导体技术,作为电子设备的核心技术之一,在节碳减排方面发挥着重要作用。今天我们就来聊聊功率半导体技术如何助力节碳减排。01首先,我们来简单了解一下什么是功率半导体。功率半导体是指用于高功率转换和控制的半导体器件,常见的有绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、晶闸管(SCR)、场效应晶
  • 台积电2024年5月营收稳健,持续领跑半导体行业2024-06-11 10:50

    在全球半导体行业复杂多变的市场环境下,台积电依然保持强劲的增长势头。据台积电于6月7日公布的2024年5月营收报告,公司当月实现净营收约为2,296.2亿新台币,这一成绩虽较4月略有下滑,但同比去年同期增长显著,展现了其强大的市场适应能力和技术实力。尽管面临全球经济波动和行业周期性挑战,台积电在2024年前五个月的累计总营收仍高达10,582.9亿新台币,较
  • 突破碳化硅(SiC)和超结电力技术的极限2024-06-11 10:49

    PowerMasterSemiconductor(PMS)是一家韩国半导体器件公司,团队在电力半导体行业拥有超过二十年的经验,他们专注于开发和生产先进的碳化硅(SiC)二极管和MOSFET,以及超结(SJ)MOSFET,今天来聊聊他们创新的eMOSE7和eSiCMOSFET技术。eMOSE7超结技术提供了快速的开关性能,同时具有低开关噪音和过冲尖峰。这提高了
    MOS 半导体 碳化硅 384浏览量
  • 全球半导体产业加速布局,两大巨头投资数十亿美元建设新工厂2024-06-07 11:19

    在全球半导体产业持续回暖的背景下,两大半导体巨头意法半导体(ST)和恩智浦半导体(NXP)近期分别宣布了重大投资计划,以加速在碳化硅(SiC)和半导体晶圆制造领域的布局。5月31日,意法半导体在其官网上正式宣布,将于意大利卡塔尼亚建设全球首个一站式碳化硅产业园。该产业园将作为8英寸碳化硅功率器件和模块的大规模制造及封测综合基地,实现碳化硅制造的全面垂直整合。
  • 半导体基础功率模块与离散元件的比较2024-06-07 11:17

    半导体基础功率模块因其相对于传统离散元件的诸多优势而变得越来越突出。在不断发展的功率电子领域,选择半导体基础功率模块与离散元件对效率、可靠性和整体系统性能有着显著的影响。半导体基础功率模块的优势半导体基础功率模块将多个组件集成到单一封装中,与离散元件相比设计更为紧凑。模块可以轻松集成从改善开关行为的电容器到电流测量的分流器和减少杂散电感的组件。图1:带有集成