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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 人工智能架构将推动未来硅基IGBT和碳化硅材料的改进2024-06-25 11:55

    直到最近,电力转换行业在效率、尺寸、重量和成本方面的进步主要都是由半导体晶体管技术的改进推动的。为了实现这些改进,新型晶体管的工程目标很明确:提高额定电压、减少导通和开关损耗,以及降低成本。为了实现这些目标,我们已经投入了数十亿美元,并且还在持续投入中。如今的第七代IGBT和MOSFET,以及第三代SiCMOSFET和GaNFET都远远优于前几代的电力器件。
  • 工信部《2024年汽车标准化工作要点》:强化汽车芯片标准供给2024-06-24 11:25

    近日,工信部在其官方网站上公布了《2024年汽车标准化工作要点》,该文件明确指出将加强汽车芯片领域的标准化工作,以确保国内汽车产业在新一轮的转型升级中稳健发展。根据文件内容,工信部将加快汽车芯片环境及可靠性、电动汽车芯片环境及可靠性、汽车芯片信息安全等关键标准的研制工作,旨在为汽车芯片产业提供坚实的技术支撑。此外,还将推动制定智能驾驶计算芯片、汽车ETC芯片
  • TRINNO特瑞诺1200V太阳能逆变器专用IGBT助力光伏发电2024-06-24 11:24

    在当今快速发展的可再生能源领域,太阳能作为一种清洁、无限的能源,正受到越来越多人的关注和利用。为了最大化太阳能的转换效率,选择一款高性能的逆变器IGBT至关重要。TRINNO特瑞诺,作为作为追求创新的电力半导体的开发多年的品牌,推出了一款专为太阳能逆变器设计的IGBT——TGHP75N120FDR,其卓越的性能和稳定性,为太阳能发电系统提供了强有力的支持。T
  • 中国晶圆产能预计2024年将同比增长超13%2024-06-21 11:08

    随着全球半导体产业格局的深刻变革,中国半导体行业正迎来快速发展的黄金时期。根据国际半导体产业协会(SEMI)在2024年1月发布的最新数据,中国半导体行业在2023年已成为全球最大的半导体设备消费国,投入金额超过360亿美元。这一趋势预计将在2024年持续,中国晶圆产能有望实现同比超过13%的增长。SEMI的报告显示,在政府资金和其他激励措施的推动下,中国正
    半导体 晶圆 芯片 274浏览量
  • 特瑞诺(TRINNO)采用最新技术的1350V高频IGBT器件2024-06-21 11:08

    随着技术的不断进步,IGBT的设计和制造也在持续优化。现代IGBT模块不仅提高了效率和可靠性,还减小了尺寸和重量,这对于空间受限的应用尤为重要。此外,通过集成智能控制和保护功能,IGBT模块能够更有效地管理电力系统,确保其安全稳定运行。随着全球对高效能源利用和减少碳排放的需求日益增长,IGBT技术的发展将继续扮演关键角色,推动电力电子技术向更高效、更环保的方
    IGBT 封装 开关器件 318浏览量
  • 晶丰明源(BPS)终止可转债发行,聚焦电源管理芯片领域长期发展2024-06-20 11:29

    近日,知名电源管理芯片制造商晶丰明源(BPS)发布公告,宣布终止本次向不特定对象发行可转换公司债券,并撤回相关申请文件。这一决策引发了业界的广泛关注与讨论。晶丰明源此次拟发行的可转换公司债券原计划募资不超过7.09亿元,这笔资金原本将用于高端电源管理芯片产业化项目、研发中心建设项目以及补充流动资金。这些项目旨在进一步拓展公司的业务规模,巩固并提升其在电源管理
  • 特瑞诺TRINNO高性能IGBT说明介绍2024-06-20 11:24

    今天为大家介绍一款特瑞诺(TRINNO)坚固耐用、性能卓越的IGBT,这款IGBT器件TGH80N65F2DS的额定电压为650V,具有快速恢复反并联二极管,漏电流极低,在高结温和低结温下也表现出出色的传导和开关特性。TGH80N65F2DSIGBT采用先进的细沟槽栅极场截止(FS)技术,可确保整个器件的电场分布一致。该技术使IGBT能够承受更高的击穿电压,
    IGBT 二极管 额定电压 324浏览量
  • 半导体行业供需分化,晶圆代工产能激增引价格上涨2024-06-19 11:15

    在全球宏观经济形势的波动背景下,半导体市场下游需求展现出明显的分化趋势。传统消费终端如显示、PC、手机等领域的需求持续低迷,而新兴领域如AI服务器、物联网、新能源车等则呈现出强劲的增长势头。这一变化不仅重塑了半导体行业的市场格局,也推动了晶圆代工厂产能利用率的显著提升。根据行业观察,自今年第二季度开始,晶圆代工厂的产能利用率已经出现了明显的回升。不少厂商已接
  • 用碳化硅(SiC)重新思考软开关效率2024-06-19 11:13

    从理论上讲,碳化硅(SiC)技术比硅(Si)具有优势,这使得它看起来可以作为电力电子中现有MOSFET的直接替代品。这在一定程度上是正确的,但只要关注该技术与硅的不同之处,以及如何优化电路技术(例如软开关),超越硅的实际应用,就可以从SiC中获得更多收益。与硅相比,SiC的带隙更宽,因此击穿电压和电子迁移率更高,从而降低了导通电阻。与硅相比,SiC的开关速度
    MOSFET SiC 电阻 碳化硅 409浏览量
  • 深圳集成电路进口额稳健增长,前五月增幅达21.1%2024-06-18 11:13

    在全球集成电路市场持续发展的背景下,深圳作为中国重要的经济特区,其集成电路进口额展现出强劲的增长势头。据深圳海关最新数据,今年前五月,深圳集成电路进口额同比增长了21.1%,这一显著增长不仅凸显了深圳在全球集成电路贸易中的重要地位,也反映了深圳在电子信息产业领域的持续繁荣。从数据上看,今年前五个月,深圳集成电路进口额达到2668.5亿元,同比增长21.1%。
    电子信息 集成电路 257浏览量