英特尔10nm处理器将于2019年下半年上市
英特尔此前曾表示，其10nm芯片将于2019年上市。但在近期的财报会议上，英特尔高管透露了一个更具体....
新技术！借助棱镜大幅降低激光雷达传感器复杂性
Baraja通过棱镜来弯折激光束的方式，大幅减少了系统中的部件数量。当你将一束激光射向棱镜的时候，会....
普睿司曼推出FlexRibbon技术产品，可将最大光纤数量压缩成最小电缆
普睿司曼的新产品通过使用极其灵活的光纤带将最大光纤数量压缩成最小的电缆，旨在最大限度地提高光纤密度和....
三星146英寸MicroLED电视9月开始量产，设备寿命将达到10万小时
除了146英寸外，明年会推出更薄的版本，并从现在8厘米缩减至3厘米，甚至比一些OLED电视还薄，当然....
2017年华虹半导体金融IC卡芯片出货量同比增长超200%
华虹半导体有限公司宣布，2017年金融IC卡芯片出货量同比增长超过200%，再创新高。更进一步来说，....
关于FePTS催化苯并噁嗪树脂性能之浅析
苯并噁嗪自身固化温度较高，使得其在工业化生产中需要消耗更多的能源，不利于节能减排，因此如何降低其固化....
你知道为什么生产现场上要有5S吗？
随着生产复杂程度的增加，人员因素不断地发生变化。5S 活动的基本任务可以使生产过程更快地制造出我们需....
台积电：7纳米已大量生产 5纳米将于2019大量生产
晶圆代工厂台积电技术论坛近日登场，总裁暨副董事长魏哲家表示，7纳米制程已大量生产，5纳米制程预计明年....
大唐电信国家工程实验室取得重大成果
近日，依托中国信通院的新一代移动通信测试验证国家工程实验室、依托中国移动的新一代移动通信技术应用国家....
LV HV P-Well BCD技术的芯片与制程剖面结构的资料概述
LV/HV P-Well BCD技术能够实现低压 5 V 与高压 100～700 V（或更高）兼容的....
如何使用RGB格式图像传感器去构建一个通用马赛克算法
Bayer 格式的图像传感器在每个像素位置上只采样红绿蓝三原色中的一种。在某些应用中，Bayer 颜....
ATC在工艺晶圆测试中的应用和理念及ATC基本组成元素和实现算法
在先进工艺节点半导体制造中，工艺和器件的变异性越来越不可忽视。在半导体制造的工艺站点，先进工艺控制（....
基于CMOS下的像素阵列校正系统你了解多少呢？
CMOS 图像传感器与 CCD 图像传感器都是将光信号转换成电信号的半导体器件，但由于 CMOS 图....
介绍电表应用系统中 BUCK DC-DC 的设计与应用
基于 0.18μm 1P3M 45V BCD 工艺设计实现了一款用于电表系统的异步 BUCK DC-....
中国集成电路行业现状及发展趋势分析
集成电路是换代节奏快、技术含量高的产品。从当今国际市场格局来看，集成电路企业之间在知识产权主导权上斗....
如何采用铜互连单大马士革工艺制作超厚金属铜集成电感的概述
成功开发超厚介质膜的淀积和刻蚀工艺、超厚金属铜的电镀和化学机械研磨等工艺，采用与 CMOS 完全兼容....
一种利用两种不同温度系数材料来实现温度传感器的技术的概述
传统的嵌入式温度传感器利用三极管和 ADC 来实现，本文提出了一种利用两种不同温度系数材料作为传感，....
智能电表中的实时钟校准研究
在智能电表中，结算方式已经由原有的电量结算转换为金额结算，并且费率模式也较以往的电表更为复杂，这些需....
对焦稳定控制算法试验平台的搭建和研究测试
如今市场对于手机拍照功能的需求可谓是日新月异，这对于手机摄像头的数量及质量都提出了更高、更复杂的要求....
如何利用SILVACO软件对二极管特性进行仿真研究
传统的快恢复二极管，为了缩短反向恢复时间，通常采用电子辐照来减小基区的少子寿命，但电子辐照在降低器件....
FRC算法具体需要考虑的因素总结
能够用 6 bit source 的输出来达到 8 bit full color（16.7 M co....
低触发电压的可控硅结构保护电路设计的详细介绍
当前的集成电路设计中大量采用了可控硅的设计结构来进行 ESD 的保护，但是一般的SCR 保护结构很难....
国产衬底片的发展在双极型集成电路制造中的应用详细资料概述
随着国产衬底的生产工艺和控制能力的不断提升，国产衬底的应用也越来越广。作者就国产衬底在双极型集成电路....
各主要应用市场存储器需求分析与存储器未来市场预期
智能家居和工业 4.0 产业升级中，譬如一些特殊计量领域如电表市场，需要实时记录更多的信息数据并且可....
机电设备电气断路故障检测技术分析
分段短接法的检测方式是固定电气线路中的一段短接线，然后另一段进行定段移动，以此确保检测结果的可靠性，....
2018年上海集成电路产业发展规模的展望和预测
到 2018 年，中芯国际（上海）和华力微电子的 12 英寸晶圆 28 nm PolySiON 和 ....
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