产品
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SI2369DS-T1-GE3-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-02 10:57
产品型号：SI2369DS-T1-GE3-VB 类型： P沟道 最大耐压： 30V 最大电流 ：5.6A 导通电阻： 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V 门源电压： 20Vgs (±V) -
ZVN2120GTA-VB-SOT223封装N沟道MOSFET2023-11-02 10:45
产品型号：ZVN2120GTA-VB 类型 ：N沟道 额定电压(VDS) ： 200V 额定电流(ID)： 1A (RDS(ON))： 1100mΩ@10V, 1350mΩ@4.5V 阈值电压(Vth)： 2~4V -
IRLR3103TRPBF-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-02 10:36
产品型号：IRLR3103TRPBF-VB 频道类型： N沟道 额定电压： 30V 额定电流： 60A RDS(ON) ：10mΩ @ 10V，11mΩ @ 4.5 门源电压范围 ：±20V -
Si1553CDL-T1-GE3-VB-SC70-6封装N+P沟道MOSFET2023-11-02 10:26
产品型号：Si1553CDL-T1-GE3-VB 极性： N+P沟道 额定电压： ±20V 额定电流 ：2.5A 门源电压： 20Vgs (±V) 阈值电压： ±0.6~2Vth (V) -
NTF6P02T3G-VB-SOT223封装P沟道MOSFET2023-11-02 10:16
产品型号：NTF6P02T3G-VB 类型： P沟道 最大耐压： 40V 最大电流： 6A 导通电阻： 42mΩ @10V, 49mΩ @4.5V 门源电压 ：20Vgs (±V) -
MMBF170LT1G-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-02 09:57
产品型号：MMBF170LT1G-VB 类型 ： N沟道 额定电压(VDS)： 60V 额定电流(ID)： 0.3A (RDS(ON))： 2800mΩ@10V, 3000mΩ@ 阈值电压(Vth)： 1.6V -
2SK2415-Z-E1-AZ-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-02 09:48
产品型号：2SK2415-Z-E1-AZ-VB 频道类型： N沟道 额定电压： 60V 额定电流： 18A RDS(ON) ：73mΩ @ 10V，85mΩ @ 4.5V 门源电压范围： ±20V -
STM4639-VB-SOP8封装P沟道MOSFET2023-11-02 09:37
产品型号：STM4639-VB 极性： P沟道 额定电压： 30V 额定电流： 11A 导通电阻 ：11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 门源电压 ：20Vgs (±V) -
SQD50P06-15L-GE3-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-02 09:28
产品型号：SQD50P06-15L-GE3-VB 类型： P沟道 最大耐压： 60V 最大电流： 50A 导通电阻： 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V 门源电压： 20Vgs (±V) -
SI2307DS-T1-GE3-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-02 09:13
产品型号：SI2307DS-T1-GE3-VB 类型： P沟道 额定电压(VDS)： 30V 额定电流(ID)： 5.6A (RDS(ON)) ： 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V 阈值电压(Vth) ： 1V