产品
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SI9948AEY-T1-E3-VB-SOP8封装2个P沟道MOSFET2023-11-07 10:56
产品型号：SI9948AEY-T1-E3-VB 极性： 2个P沟道 额定电压： 60V 额定电流： 5.3A RDS(ON)： 58mΩ @ 10V, 70mΩ @4.5V 额定栅极源极电压（V： 20V (±V) -
NTR4170NT1G-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-07 10:46
产品型号：NTR4170NT1G-VB 类型 ：N沟道 最大耐压： 30V 最大电流： 6.5A 导通电阻 ：30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V 门源电压： 20Vgs (±V)- -
AO3414-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-06 11:53
产品型号：AO3414-VB 沟道类型： N沟道 额定电压： 20V 额定电流 ：6A 导通电阻： 24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V 阈值电压： 0.45~1V -
IRLML6344TRPBF-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-06 11:34
产品型号：IRLML6344TRPBF-VB 类型： N沟道 最大耐压： 30V 最大漏极电流： 6.5A RDS(ON)： 30mΩ@10V, 33mΩ@4.5V 栅极电压（Vgs）范： ±20V -
20P03-VB-TO252封装沟道MOSFET2023-11-06 11:24
产品型号：20P03-VB 极性 ：P沟道 额定电压 ：30V 额定电流 ：26A RDS(ON)：33mΩ @ 10V, 46mΩ @ 4.5V 额定栅极源极电压（V： 20V (±V) -
SI4401DDY-T1-GE3-VB-SOP8封装P沟道MOSFET2023-11-06 11:15
产品型号：SI4401DDY-T1-GE3-VB 类型： P沟道 最大耐压： 40V 最大电流： 11A 导通电阻：13mΩ@10V, 17mΩ@4.5V 门源电压：20Vgs (±V) -
SI2323DDS-T1-GE3-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-06 11:02
产品型号：SI2323DDS-T1-GE3-VB 沟道类型： P沟道 额定电压 ：30V 额定电流： 5.6A 导通电阻：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V 阈值电压： 1V -
AO4616-VB-SOP8封装N+P沟道MOSFET2023-11-06 10:53
产品型号：AO4616-VB 类型 ：N+P沟道 最大耐压： ±30V 最大漏极电流：9A（N沟道），6A（P沟道） RDS(ON)：15mΩ@10V（N沟道），42mΩ@10V（P沟道） 栅极电压（Vgs）： ±20V -
RRQ030P03TR-VB-SOT23-6封装P沟道MOSFET2023-11-06 10:44
产品型号：RRQ030P03TR-VB 频道类型： P沟道 额定电压： 30V 额定电流： 4.8A RDS(ON) ：49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V 门源电压范围： 20V -
IPD78CN10N G-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-06 10:34
产品型号：IPD78CN10N G-VB 极性： N沟道 额定电压： 100V 额定电流： 25A RDS(ON)：55mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5v 额定栅极源极电压： 20V (±V)