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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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微碧半导体VBsemi产品

  • FDD4685-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-13 17:33

    产品型号:FDD4685-VB 类型: P沟道 额定电压: -40V 最大持续电流: -65A 导通电阻:10mΩ @ 10V 门源电压范围: 20V(正负)
  • RRR040P03TL-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-13 17:25

    产品型号:RRR040P03TL-VB 沟道类型: P沟道 最大耐压: -30V 最大持续电流 : -5.6A 开通电阻: 47mΩ @ 10Vgs、56mΩ @ 4.5Vgs 阈值电压:-1V
  • SSC8022GS6-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-13 17:16

    产品型号:SSC8022GS6-VB 极性: N沟道 额定电压: 20V 额定电流: 6A 静态导通电阻:24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V 门源极电压:-8V 至 8V
  • SI2301ADS-T1-GE3-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-13 17:04

    产品型号:SI2301ADS-T1-GE3-VB 沟道类型: P沟道 额定电压 : -20V 最大电流 : -4A 静态导通电阻: 57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V 门源电压: ±12V
  • NTGS4141NT1G-VB-SOT23-6封装N沟道MOSFET2023-11-13 16:55

    产品型号:NTGS4141NT1G-VB 最大耐压 : 30V 最大电流: 6A 静态开启电阻:30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V 门源极电压:20V (±V) 阈值电压:1.2V
  • TN0200TS-T1-E3-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-13 11:56

    产品型号:TN0200TS-T1-E3 沟道类型: N沟道 最大耐压 :20V 最大持续电流 : 6A 开通电阻: 24mΩ @ 4.5Vgs、33mΩ @ 2.5Vgs 阈值电压: 0.45V 到 1V 可调
  • IPD26N06S2L-35-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-13 11:48

    产品型号:IPD26N06S2L-35-VB 极性: N沟道 额定电压: 60V 额定电流: 45A 静态导通电阻: 24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V 门源极电压: -20V 至 20V
  • STD16NF06LT4-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-13 11:40

    产品型号:STD16NF06LT4-VB 沟道类型: N沟道 额定电压: 60V 最大电流 : 45A 静态导通电阻: 24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V 门源电压 : ±20V
  • NTD5865NLT4G-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-13 11:32

    产品型号:NTD5865NLT4G-VB 类型: N沟道 最大耐压: 60V 最大电流: 60A 静态开启电阻:9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V 门源极电压 :20V (±V)
  • STP3NK60ZFP-VB-TO220F封装N沟道MOSFET2023-11-13 11:22

    产品型号: STP3NK60ZFP-VB 类型 : N沟道 额定电压: 650v 最大持续电流: 4A 导通电阻:2560mΩ @ 10V 门源电压范围: 20V(正负)