产品
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MAX32662GTJ+ Arm Cortex-M4 Processor withFPU-Based Microcontroller (MCU)with 256KB Flash and 80KB SR2023-11-07 16:42
产品型号：MAX32662GTJ+ 标准型号：MAX32662GTJ+ 包装数量：2500 封装：32-pin TQFNEP 尺寸： 5mm x 5mm, -
CGHV59350350P 2023-11-07 15:42
产品型号：CGHV59350350P 标准型号：CGHV59350350P 特点：5.2 - 5.9 GHz 应用：Radar Systems 作用：GaN HEMT -
CGHV35400F 2023-11-07 15:38
产品型号： CGHV35400F 标准型号 ： CGHV35400F 范围： 2.9 - 3.5 GHz 特性： 500 W 作用：70% typical drain efficiency 特点： drain efficiency -
CGHV60075D575 W, 6.0 GHz, GaN HEMT Die2023-11-07 15:31
产品型号：CGHV60075D5 标准型号：CGHV60075D5 是否裸芯片：是 范围：6.0 GHz 特点：GaN HEMT Die 应用： 2-Way Private Radio -
CGHV1F025S 25 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN HEMT2023-11-07 15:24
产品型号：CGHV1F025S 标准型号：CGHV1F025S 标准功率：25 W 标准范围：DC - 15 GHz 标准电压：40 V 特性：GaN HEMT -
CGHV40200PP 200 W, 50 V, GaN HEMT2023-11-07 15:18
产品型号：CGHV40200PP 类型： GaN HEMT 功率：200 W 具体型号：CGHV40200PP 电压：50 V -
CGHV59070F 70 W, 4.4 - 5.9 GHz, 50 V, RF Power GaN HEMT2023-11-07 15:15
产品型号：CGHV59070F RF Power ：RF Power GaN HEMT 类型：RF 电压：50 V 频率范围：4.4 - 5.9 GHz, 功率：70 W -
CGHV38375F 400 W, 2.75 - 3.75 GHz, Internally-Matched, GaN on SiC Transistor (IM-FET)2023-11-07 15:11
产品型号：CGHV38375F 具体型号：CGHV38375F 电压：1 功率： 400 W 类型：GaN on SiC Transistor 特点： 2.75 - 3.75 GHz -
CGHV1F025S Package Type: 3x4 DFNPN: CGHV1F025S25 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN HEMT2023-11-07 15:05
产品型号：CGHV1F025S 具体型号：CGHV1F025S 功率：25 W 范围：DC - 15 GHz, 电压：40 V 类型：GaN HEMT -
CGHV96100F2 100 W, 8.4 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/OutputMatched GaN HEMT2023-11-07 15:02
产品型号：CGHV96100F2 HEMT：(HEMT 频率：8.4 - 9.6 GHz 50-ohm：50-ohm GaN ：GaN HEMT