--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品简介:**
VBsemi的052N03S-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用槽沟技术,适用于各种应用。该器件具有低导通电阻、高漏极电流和低门极电压等特点,适用于要求高效率和低功率损耗的电源、DC-DC转换器、电机控制、LED照明等应用。
**详细参数说明:**
- **型号:** 052N03S-VB
- **封装:** SOP8
- **配置:** 单N沟道
- **漏源电压(VDS):** 30V
- **门源电压(VGS):** 20V(±)
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 11mΩ @ VGS=4.5V;8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 13A
- **技术:** 槽沟技术
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/F7/1A/wKgZomaDuhqAPGzLAAE-QVQabtA802.png)
**应用示例:**
- **电源:** 该MOSFET可用于高效率的开关模式电源中,以稳定和调节电压。
- **电机控制:** 可用于电机控制电路,以调节和控制电机的转速。
- **LED照明:** 适用于LED照明应用中,可用于调节和控制LED灯的亮度。
- **DC-DC转换器:** 用于DC-DC转换器电路中,以实现不同电压级之间的高效转换。
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