--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(5X6)封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
以下是您请求的信息:
**产品简介:**
VBsemi的052N03S-VB是一款DFN8(5X6)封装的单N沟道场效应管。它具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的门-源电压(VGS,±V),1.7V的阈值电压(Vth),以及在VGS=4.5V时为5mΩ,在VGS=10V时为3mΩ的导通电阻(RDS(ON)),并且能够承受120A的漏极电流(ID)。该产品采用槽道技术(Trench Technology)制造。
**详细参数说明:**
- 封装:DFN8(5X6)
- 构型:单N沟道
- VDS(漏极-源极电压):30V
- VGS(门-源电压):20V(±V)
- Vth(阈值电压):1.7V
- RDS(ON)(导通电阻):5mΩ @ VGS=4.5V,3mΩ @ VGS=10V
- ID(漏极电流):120A
- 技术:槽道技术(Trench)
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/F7/0F/wKgZomaDptWAPULBAADuk9Z2eN0956.png)
**适用领域和模块示例:**
1. **电源模块**:052N03S-VB可用作开关电源中的功率开关管,用于转换和调节电源电压。
2. **电机驱动**:由于其较低的导通电阻和高漏极电流能力,该器件可用于驱动要求较高的直流电机。
3. **照明应用**:在LED驱动电路中,它可以作为电流调节器,提供可靠的功率控制。
4. **电动汽车控制**:用于电动汽车中的电机控制和电池管理系统,提供高效的功率开关。
5. **工业自动化**:可用于工业设备和机器人的功率开关,确保设备的稳定运行。
以上是对052N03S-VB产品的简介、参数说明和适用领域和模块的说明。
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