--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(5X6)封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:
VBsemi的052N03LS-VB是一款DFN8(5X6)封装的单通道N沟道MOSFET,具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,正负)和1.7V的阈值电压(Vth)。该器件采用沟道工艺,具有在VGS=4.5V时RDS(ON)为5mΩ和在VGS=10V时RDS(ON)为3mΩ的低导通电阻。其最大漏极电流(ID)为120A。
### 参数说明:
- **器件类型**:单通道N沟道MOSFET
- **封装**:DFN8(5X6)
- **VDS(漏极-源极电压)**:30V
- **VGS(栅极-源极电压)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:5mΩ @ VGS=4.5V, 3mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:120A
- **工艺**:沟道
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/F7/0F/wKgZomaDptWAPULBAADuk9Z2eN0956.png)
### 适用领域和模块举例:
1. **电源管理模块**:由于其低导通电阻和高漏极电流,052N03LS-VB适用于电源管理模块,如开关电源和直流-直流转换器,可提供高效的电源控制。
2. **电池管理模块**:在电池管理系统中,这款MOSFET可用于控制电池的充放电过程,实现高效的电能管理和保护。
3. **电机驱动模块**:在电机控制方面,这款MOSFET可用于驱动直流电机,如无刷直流电机,提供高效的电能转换和电机控制。
4. **LED照明模块**:在LED照明应用中,052N03LS-VB可用于开关电源,控制LED的亮度和电流,实现节能和可调光效果。
以上是对052N03LS-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的举例说明。
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