VBsemi的050NE2LS-VB是一款DFN8(5X6)封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压（VDS）、20V（±V）的门极-源极电压（VGS）、1.7V的阈值电压（Vth）、在VGS=4.5V时的5mΩ的导通电阻（RDS(ON)）、在VGS=10V时的3mΩ的导通电阻（RDS(ON)）、以及120A的漏极电流（ID）。该产品采用Trench工艺。
**产品简介：**
VBsemi的050NE2LS-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，适用于多种领域和模块。它具有低阻抗、高漏极电流和可靠性强的特点，适用于要求高功率密度和高效率的应用场合。
**详细参数说明：**
- 封装：DFN8(5X6)
- 类型：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：30V
- 门极-源极电压（VGS）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：1.7V
- 导通电阻（RDS(ON)）：5mΩ @ VGS=4.5V, 3mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：120A
- 工艺：Trench
**应用领域和模块示例：**
1. **电源模块**：050NE2LS-VB适用于中高功率电源模块，如电动工具、电动车充电器等，具有低导通电阻和高效率。
2. **电动车**：在电动车的电动机驱动系统中，050NE2LS-VB可用于控制器模块，提供稳定的功率输出。
3. **工业控制**：在工业控制领域，050NE2LS-VB适用于各种类型的电机控制器和功率逆变器，提供高效率和可靠性。
4. **电源管理**：在各类电源管理系统中，050NE2LS-VB可用作功率开关，具有高效率和稳定的性能。
5. **LED照明**：在LED照明系统中，050NE2LS-VB可用作LED驱动器，提供高效率的电能转换和稳定的电流输出。
这些是050NE2LS-VB的一些典型应用场景，但并不限于此，具体应用取决于设计要求和环境条件。
