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TSV 指 Through Silicon Via,硅通孔技术,是通过硅通道垂直穿过组成堆栈的不同芯片或不同层实现不同功能芯片集成的先进封装技术。TSV 主要通过铜等导电物质的填充完成硅通孔的垂直电气互连,减小信号延迟,降低电容、电感,实现芯片的低功耗、高速通信,增加带宽和实现器件集成的小型化需求。...
金丝键合技术是微电子领域的封装技术,一般采用金线,利用热、压、超声共同作用,完成微电子器件中电路内部连接,即芯片和电路或者引线框架之间的互连。本文在深入了解键合机理后,选用 25μm 金丝,基于正交试验方法,研究键合压力、超声功率、键合时间等参数对楔焊键合及球焊键合后金丝拉力及焊点形貌的影响,根据键...
半导体封装方法,大致可以分为两种:传统封装和晶圆级(Wafer-Level)封装。传统封装首先将晶圆切割成芯片,然后对芯片进行封装;而晶圆级封装则是先在晶圆上进行部分或全部封装,之后再将其切割成单件。...
芯片上的集成,封装内的集成,PCB板级集成,是电子集成的三个层次。每一个层次的集成,都分为不同的环节。这篇文章,我们从层次-Level和环节-Step两个方面来剖析现代电子集成技术。...
NPI是New Product Introduction的英文缩写,意思是“新产品导入”。NPI工艺工程师主要职责是:制工接单;分析可行性;分派任务给零件单位;零件单位设计模具;给模具厂加工;完后试制零件给装配;装配后送样给客户;OK就量产;NG就对制程进行改良或与客户商量改变。...
光刻胶在未曝光之前是一种黏性流体,不同种类的光刻胶具有不同的黏度。黏度是光刻胶的一项重要指标。那么光刻胶的黏度为什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻胶算高黏度,哪些算低黏度呢?...
基本焊接条件:热压超声波焊接用于金线键合,所需的温度、压力、超声波功率及时间视不同机型、不同材料有很大不同,具体根据机型、材料特性科学设定。...
封装材料大致可分为原材料和辅助材料。原材料是构成封装本身的一部分,直接影响着产品的质量和可靠性。而辅助材料则不属于产品的本身构成部分,它们仅在封装过程中使用,随后将被移除。...
而增材制造之所以被称作划时代的技术,是因为它更像是“搭积木”的过程,用粉末状的材料为原料,通过逐层打印的方式来构造我们需要的物体。...
纳米压印是微纳工艺中最具发展潜力的第三代光刻工艺,是最有希望取代极紫外光的新一代工艺。最近,海力士公司从佳能购买了一套奈米压印机,进行了大规模生产,并取得了不错的效果。...
中国5G、云计算、人工智能、工业互联网等数字科技突飞猛进,为数字经济广泛辐射渗透提供了关键驱动力量,正在不断颠覆和重塑着传统制造模式、生产组织方式和产业形态。...
在芯片制程中,互连、接触、通孔和填充是常见术语,这四个术语代表了金属化中不同的连接方式。那么互连、接触、通孔和填充塞分别代表了什么?有什么作用呢?...
如何对系统和组件进行可靠的封装是微系统工业面临的主要挑战,因为微系统的封装技术远没有微电子封装技术成熟。微系统封装在广义上讲有三个主要的任务:装配、封装和测试,缩写为AP&T. AP&T在整个生产成本中占有很大的比例。...
实现Chiplets封装集成的动机有很多。为了满足不断增长的性能需求,芯片面积不断增加,有些设计甚至会超出掩模版面积的限制,比如具有数百个核心的多核 CPU,或扇出非常大的交换[曹1] 电路(Switch)。...
摩尔定律到底是什么,封装技术和摩尔定律到底有什么关系?1965年起初,戈登·摩尔表示集成电路上可容纳的元器件数量约18个月便会增加一倍,后在1975年将这一定律修改为单位面积芯片上的晶体管数量每两年能实现翻番。...
在设计过程的早期阶段,需要参与系统和封装的分析,将设计划分为各种芯片片段,并评估在计算、数据传输和制造成本方面的必要权衡。设计和验证工具(例如SystemVerilog)需要整合封装设计和规划知识,以支持协同设计工作流程。...
随着工艺节点不断变小,掩模版制造难度日益增加,耗费的资金成本从数十万到上亿,呈指数级增长,同时生产掩模版的时间成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保证其设计有足够高的品质,重新优化设计并再次制造一批掩模版将增加巨大的资金成本和时间成本。...
工业 4.0 工厂几乎在每个制造过程中都将电子控制和监控与有线或无线连接相结合。在多数情况下,需要将电子模块安装到狭小空间内,而这些空间最初并非出于容纳设计,因此极其紧凑的电子模块必不可少。...
均匀性是衡量工艺在晶圆上一致性的一个关键指标。比如薄膜沉积工序中薄膜的厚度;刻蚀工序中被刻蚀材料的宽度,角度等等,都可以考虑其均匀性。...