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• 上传了资料 2022-02-16 20:16

  EQ6HL130 Device User Guide

  FPGA XC6SLX150

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• 发布了产品 2022-02-16 20:08

  EQ6HL45 PtP XC6SLX45 XC6SLX25 XC6SLX16 XC6SLX9 XC6SLX4

  

  产品型号：EQ6HL45 规模(万门)：425 工艺：40nm CGS324塑封：232I/O

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• 上传了资料 2022-02-16 20:06

  EQ6HL45 Device User Guide

  FPGA

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• 发布了文章 2022-02-16 01:09

  8.1 结型场效应晶体管(JFET)∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  8.1.1夹断电压8.1结型场效应晶体管(JFET)第８章单极型功率开关器件《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：7.4结势垒肖特基（JBS）二极管与混合pin肖特基（MPS）二极管7.3.4电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》7.3.3“i”区的电势下降∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》7.3

  晶体管

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• 发布了文章 2022-02-16 01:08

  9.5.11 新型光刻胶材料∈《集成电路产业全书》

  

  点击上方蓝字关注我们NextGenerationLithographyMaterials撰稿人：北京科华微电子材料有限公司陈昕审稿人：复旦大学邓海光掩模和光刻胶材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸

  集成电路

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• 发布了文章 2022-02-15 01:07

  7.4 结势垒肖特基（JBS）二极管与混合pin肖特基（MPS）二极管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  7.4结势垒肖特基（JBS）二极管与混合pin肖特基（MPS）二极管第７章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：7.3.4电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》7.3.3“i”区的电势下降∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》7.3.2“i”区中的载流子浓度∈《碳化硅技术基本原

  二极管 碳化硅

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• 发布了文章 2022-02-15 01:06

  9.5.10 极紫外光刻胶∈《集成电路产业全书》

  

  点击上方蓝字关注我们EUVPhotoresist撰稿人：北京科华微电子材料有限公司陈昕http://www.kempur.com审稿人：复旦大学邓海https://www.fudan.edu.cn9.5光掩模和光刻胶材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸

  集成电路 光刻胶

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• 发布了产品 2022-02-14 18:04

  EQ6GL9LL 替换 XC6SLX4/ XC6SLX9 iCE40 UltraPlus

  

  产品型号：EQ6GL9LL LUT：9280 寄存器：9280 存储单元：32

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• 上传了资料 2022-02-14 18:02

  UG206_EQ6GL9 Device User Guide

  FPGA 用户指南

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• 发布了文章 2022-02-14 01:15

  7.3.2 “i”区中的载流子浓度∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  7.3.2“i”区中的载流子浓度7.3pn与pin结型二极管第７章单极型和双极型功率二极管《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：7.3.1大注入与双极扩散方程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》7.3pn与pin结型二极管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》7.2肖特基势磊二极管（SBD）∈《碳化硅技术基本原理

  SiC

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