深圳市致知行科技有限公司

动态

• 发布了文章 2022-01-26 01:41

  9.4.14 化合物量子阱材料∈《集成电路产业全书》

  

  点击上方蓝字关注我们CompoundQuantumWellMaterials撰稿人：北京大学王茂俊https://www.pku.edu.cn/审稿人：北京大学康宁9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本

  集成电路

  388浏览量

• 发布了文章 2022-01-25 01:38

  6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.4.2.2n型SiC的欧姆接触6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.4.1.2SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技术基本原理

  SiC

  1.1k浏览量

• 发布了文章 2022-01-25 01:37

  9.4.13 碳化硅薄膜∈《集成电路产业全书》

  

  9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆

  集成电路

  389浏览量

• 发布了文章 2022-01-24 01:19

  6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的欧姆接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.1.2SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.7迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、

  SiC

  1.6k浏览量

• 发布了文章 2022-01-24 01:18

  9.4.12 碳化硅单晶∈《集成电路产业全书》

  

  9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴

  集成电路

  526浏览量

• 发布了文章 2022-01-23 01:25

  6.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.4.1.2SiC上的肖特基接触6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.7迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化

  SiC

  705浏览量

• 发布了文章 2022-01-23 01:24

  9.4.11 蓝宝石晶体与衬底材料∈《集成电路产业全书》

  

  9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装

  集成电路

  295浏览量

• 发布了文章 2022-01-22 01:32

  6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接触6.4金属化第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.7迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.5界面的不稳定性∈《碳化硅技术

  SiC

  1.1k浏览量

• 发布了文章 2022-01-22 01:31

  9.4.10 氮化镓薄膜∈《集成电路产业全书》

  

  9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大

  集成电路

  414浏览量

• 发布了文章 2022-01-21 01:24

  6.3.6 不同晶面上的氧化硅/SiC 界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.5界面的不稳定性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.4其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.3界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、

  SiC

  1.1k浏览量