深圳市致知行科技有限公司

动态

• 发布了文章 2022-01-13 01:06

  9.4.4 砷化镓热处理和晶片加工∈《集成电路产业全书》

  

  9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(

  集成电路

  419浏览量

• 发布了文章 2022-01-12 01:08

  6.3.5.1 界面态分布∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.5.1界面态分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.4.8其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.7电导法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技

  SiC

  1.1k浏览量

• 发布了文章 2022-01-12 01:06

  9.4.3 砷化镓单晶的制备∈《集成电路产业全书》

  

  9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.

  集成电路

  492浏览量

• 发布了文章 2022-01-11 01:18

  6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.4.8其他方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.4.7电导法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.5高低频方法∈《碳化硅技术基本原理—

  SiC

  706浏览量

• 发布了文章 2022-01-11 01:17

  9.4.2 集成电路对化合物半导体材料的要求∈《集成电路产业全书》

  

  9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823

  集成电路

  681浏览量

• 发布了文章 2022-01-10 01:18

  6.3.4.7 电导法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.4.7电导法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.5高低频方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.3确定表面势、6.3.4.4Ter

  SiC

  583浏览量

• 发布了文章 2022-01-10 01:16

  9.4.1 化合物半导体材料∈《集成电路产业全书》

  

  9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高

  集成电路

  423浏览量

• 发布了文章 2022-01-09 01:19

  6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.4.5高低频方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.3确定表面势、6.3.4.4Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.

  SiC

  827浏览量

• 发布了文章 2022-01-09 01:18

  9.3.14 诱生微缺陷∈《集成电路产业全书》

  

  9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装机，提供SiC晶圆、GaN基

  集成电路

  514浏览量

• 发布了文章 2022-01-08 01:24

  6.3.4.5 高低频方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.4.5高低频方法6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.4.3确定表面势、6.3.4.4Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.2MOS电容等效电路∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3

  SiC

  531浏览量