深圳市致知行科技有限公司

动态

• 发布了文章 2022-01-21 01:23

  9.4.8 铟镓砷∈《集成电路产业全书》

  

  9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高

  集成电路

  530浏览量

• 发布了文章 2022-01-21 01:21

  6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.7迁移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.5界面的不稳定性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.4其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长

  SiC

  1k浏览量

• 发布了文章 2022-01-21 01:20

  9.4.9 氮化镓单晶∈《集成电路产业全书》

  

  9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶

  集成电路

  494浏览量

• 发布了文章 2022-01-19 01:12

  6.3.5.5 界面的不稳定性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.5.5界面的不稳定性6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.4其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.3界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.2氧化后退火∈《碳化

  SiC

  662浏览量

• 发布了文章 2022-01-19 01:11

  9.4.7 磷化铟单晶制备∈《集成电路产业全书》

  

  9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.82

  集成电路

  474浏览量

• 发布了文章 2022-01-18 01:12

  6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.3界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.2氧化后退火∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.1界面态分布∈《碳化硅技

  SiC

  891浏览量

• 发布了文章 2022-01-18 01:10

  9.4.6 磷化铟的性质∈《集成电路产业全书》

  

  9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自

  集成电路

  566浏览量

• 发布了文章 2022-01-17 02:09

  6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.2氧化后退火∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.5.1界面态分布∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.8其他方法∈《碳化硅技

  SiC

  861浏览量

• 发布了文章 2022-01-17 02:07

  9.4.4 砷化镓外延∈《集成电路产业全书》

  

  9.4化合物半导体第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生

  集成电路

  507浏览量

• 发布了文章 2022-01-13 01:08

  6.3.5.2 氧化后退火∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改进方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.5.1界面态分布∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.8其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.7电导法∈《碳化硅技术

  SiC

  906浏览量