深圳市致知行科技有限公司

动态

• 发布了文章 2022-01-03 01:27

  6.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.2氧化硅的介电性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.2.3湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.2.2高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.2.1反应

  SiC

  1.1k浏览量

• 发布了文章 2022-01-03 01:25

  9.3.8 直拉单晶硅中的氮∈《集成电路产业全书》

  

  点击上方蓝字关注我们NitrogeninCZSilicon撰稿人：浙江大学余学功https://www.zju.edu.cn/审稿人：浙江大学杨德仁9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗

  集成电路

  323浏览量

• 发布了文章 2022-01-02 01:28

  6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.2.3湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.2.2高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.2.1反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.6离子注

  SiC

  849浏览量

• 发布了文章 2022-01-02 01:26

  9.3.7 直拉单晶硅中的碳∈《集成电路产业全书》

  

  9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装机，提供SiC晶圆、GaN基板、蓝宝

  集成电路

  361浏览量

• 发布了文章 2022-01-01 02:13

  化合物半导体电子器件研究与进展

  

  西安电子科技大学教授、副校长郝跃中国科学院微电子研究所刘新宇一、引言化合物半导体具有饱和速度高、能带易剪裁、带隙宽等特性，在超高频、大功率、高效率等方面表现出优越的性能，因此，化合物半导体电子器件已经成为发展信息大容量传输和高速处理、获取的重要器件。以砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导体技术日趋成熟，已广泛地应用于无线通信、光电通信等领域，成为目前高端信息

  半导体

  1.9k浏览量

• 发布了文章 2022-01-01 02:12

  6.2.3 湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.2.3湿法腐蚀6.2刻蚀第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.2.2高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.2.1反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.5高温

  SiC

  806浏览量

• 发布了文章 2022-01-01 02:11

  9.3.6 直拉单晶硅中的氧∈《集成电路产业全书》

  

  点击上方蓝字关注我们OxygeninCZSilicon撰稿人：浙江大学余学功https://www.zju.edu.cn/审稿人：浙江大学杨德仁9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备

  集成电路

  394浏览量

• 发布了文章 2021-12-31 09:44

  Trench MOS 30V-150V DFN5X6 TO-220 TO-251 TO-252 TO-263 SOP-8选型说明

  

  晶圆

  590浏览量

• 发布了文章 2021-12-31 09:38

  6.2.2 高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.2.2高温气体刻蚀6.2刻蚀第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.2.1反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.5高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6

  碳化硅

  1.1k浏览量

• 发布了文章 2021-12-31 09:37

  9.3.5 微缺陷∈《集成电路产业全书》

  

  9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装机，提供SiC晶圆、GaN基板、蓝宝石晶圆

  集成电路

  631浏览量