深圳市致知行科技有限公司

动态

• 发布了文章 2022-01-08 01:23

  9.3.13 外延缺陷∈《集成电路产业全书》

  

  9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装机，提供SiC晶圆、GaN基板、蓝

  集成电路

  374浏览量

• 发布了文章 2022-01-07 01:15

  6.3.4.3 确定表面势、6.3.4.4 Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.4.4Terman法6.3.4.3确定表面势6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.4.2MOS电容等效电路∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.4.1SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用

  SiC

  1.1k浏览量

• 发布了文章 2022-01-07 01:14

  9.3.12 氧化诱生层错∈《集成电路产业全书》

  

  9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装机，提供S

  集成电路

  379浏览量

• 发布了文章 2022-01-06 01:14

  6.3.4.2 MOS电容等效电路∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.4.2MOS电容等效电路6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.4.1SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.3热氧化氧化硅的结构和物理特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.2氧

  MOS

  740浏览量

• 发布了文章 2022-01-06 01:12

  9.3.11 失配位错∈《集成电路产业全书》

  

  9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装机，提供SiC晶圆、GaN基板、

  集成电路

  380浏览量

• 发布了文章 2022-01-05 01:20

  MCR：MOS Controlled Rectifier，MOS控制的二极管/整流器，超低反向漏电、175°结温、高浪涌

  

  晶圆型号选型表欢迎索样测试验证：张先生18676796057（微信）相关链接：1、长期提供：耐高温、超低漏电工业级二极管晶圆、SBD8寸晶圆MCR二极管-8寸晶圆NCD15S10W-MCR8寸晶圆：150V10A，性能优于Diodes同规格产品NCD20S10W-MCR8寸晶圆：200V10A，性能优于Diodes同规格产品NCD30S10W-MCR8寸晶圆

  二极管

  1k浏览量

• 发布了文章 2022-01-05 01:19

  6.3.4.1 SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.4.1SiC特有的基本现象6.3.4电学表征技术及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.3热氧化氧化硅的结构和物理特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.2氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.1氧化速率

  SiC

  754浏览量

• 发布了文章 2022-01-05 01:17

  9.3.10 滑移位错∈《集成电路产业全书》

  

  9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装机，提供SiC晶圆、GaN基板、蓝宝

  集成电路

  333浏览量

• 发布了文章 2022-01-04 01:17

  6.3.3 热氧化氧化硅的结构和物理特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.3.3热氧化氧化硅的结构和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.3.2氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.3.1氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.2.3湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用

  元器件

  947浏览量

• 发布了文章 2022-01-04 01:16

  9.3.9 直拉单晶硅中的金属杂质∈《集成电路产业全书》

  

  9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装机，提供SiC晶

  集成电路

  422浏览量