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动态

• 发布了文章 2021-12-31 05:29

  LLC拓扑中，为什么选用体二极管恢复快的MOSFET（FR-MOS）

  

  LLC谐振转换器就是一种软开关拓扑，允许主功率开关管零电压开关，显著降低开关损耗，大幅提高电源能效。在这种拓扑中，为了实现ZVS开关，功率开关管的寄生体二极管必须反向恢复时间非常短（FR-MOS）。如果体二极管不能恢复全部载流子，则在负载从低到高的变化过程中，可能会发生硬开关操作，并可能导致寄生双极晶体管导通。在电信设备电源、大型计算机/服务器、电焊机、钢材

  二极管

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• 发布了文章 2021-12-31 05:27

  6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.1.2n型区的离子注入6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》第６章碳化硅器件工艺5.4总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.3.2.1寿命控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.3.2载流子

  SiC

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• 发布了文章 2021-12-31 05:26

  9.2.6 抛光工艺和抛光片∈《集成电路产业全书》

  

  9.2硅片加工第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册相关链接：8.8.11无应力抛光设备（SFP）∈《集成电路产业全书》3.8切片及抛光∈《碳化硅技术基

  集成电路

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• 发布了文章 2021-12-31 05:23

  6.1.3 p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.1.3p型区的离子注入6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》第６章碳化硅器件工艺5.4总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.3.2.1

  SiC

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• 发布了文章 2021-12-31 05:22

  9.2.7 硅片清洗与包装∈《集成电路产业全书》

  

  9.2硅片加工第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双

  集成电路

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• 发布了文章 2021-12-31 05:19

  6.1.4 半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  6.1.4半绝缘区域的离子注入6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.3p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》第６章碳化硅器

  碳化硅

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• 发布了文章 2021-12-31 05:18

  9.3.1 点缺陷∈《集成电路产业全书》

  

  9.3硅材料中的缺陷与杂质第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装机，提供SiC晶圆、GaN基板、蓝宝石晶圆

  集成电路

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• 发布了文章 2021-12-31 02:06

  5.2.3 扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响5.2SiC的扩展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.2.1SiC主要的扩展缺陷&5.2.2双极退化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.1.6.2电子顺磁共振∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.1.6.1深能级瞬态谱∈《碳化硅

  SiC

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• 发布了文章 2021-12-31 02:05

  9.1.11 硅基石墨烯∈《集成电路产业全书》

  

  9.1硅材料第9章集成电路专用材料《集成电路产业全书》下册‍‍‍‍‍‍‍‍ADT12寸全自动双轴晶圆切割机详情：切割机(划片机).ADT.823012寸全自动双轴晶圆切割机成倍提高生产率日本晶圆清洗设备，大量装机，提供SiC晶圆、GaN基

  集成电路

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• 发布了文章 2021-12-31 02:02

  5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

  

  5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能级缺陷5.3SiC中的点缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技术《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.2.1SiC主要的扩展缺陷&5.2.2双极退化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》5.1

  碳化硅

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