深圳市浮思特科技有限公司

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• 发布了文章 2023-12-19 11:58

  英特尔有望于2024年领先芯片制造竞争对手

  

  近五年来，英特尔在高级芯片制造领域落后于台积电和三星。如今，为重新赢得领先地位，英特尔正大胆而冒险地引入两项全新技术，即新型晶体管技术和首创的电源交付系统，这两项技术将被应用在计划于2024年底发布的桌面和笔记本电脑的Arrow Lake处理器中。

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• 发布了文章 2023-12-18 16:36

  了解电源管理的基础

  

  在科技的进步引领下，电源管理电路已经从早期以分立元件为主（此类解决方案通常体积大、花费高、设计复杂）发展至现在的集成解决方式（以体积小、效率高、易于管理及配置应用需求为主）。目前，集成于单一芯片中的电源解决方案已往智能化、可编程的方向发展，使得设计工作大大简化，物料清单成本显著降低，整体系统效果得以提升，并大幅增加了系统的灵活性。

  PMIC 交流电源 电源管理

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• 发布了文章 2023-12-18 16:35

  悉尼研究员引入增强带宽的乐高式新型芯片

  

  悉尼大学纳米研究所的科研人员近期推出了一款新型的紧凑硅半导体芯片，能够无缝集成电子元件和光子元件。这种创新带来的射频（RF）带宽的大幅度扩展，以及对芯片内信息流动的准确控制，意味着澳大利亚有能力建立其自主的芯片制造体系，不再完全依赖国际上的晶圆厂进行增值处理。

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• 发布了文章 2023-12-15 17:35

  使用GaN HEMT设备最大化OBCs的功率密度

  

  随着电动汽车（EVs）的销售量增长，整车OBC（车载充电器）的性能要求日益提高。原始设备制造商正在寻求最小化这些组件的尺寸和重量以提高车辆续航里程。因此，我们将探讨如何设计、选择拓扑结构，以及如何通过GaN HEMT设备最大化OBCS的功率密度。

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• 发布了文章 2023-12-15 17:18

  SK海力士希望将存储器和逻辑半导体集成在HBM4的芯片上

  

  一旦SK海力士独特的设计理念变为现实，将引发整个芯片工业的重大影响。这样的设计不但能大幅提升性能和工作效率，还可能将处理功率和生产效率提高到更高的水平。有一天，存储和逻辑半导体之间的界限可能会被淡化到几乎不存在。虽然这可能还需要一些时间，但当它到来时，整个行业必须为大变革做好准备。

  SK海力士 半导体 存储器

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• 发布了文章 2023-12-15 17:16

  选择合适的设备实现ESD抗干扰

  

  随着互联网物联网（IoT）的扩展，预计未来将有数十亿电子设备接入网络。它们将在我们生活中发挥重要的作用，比如家庭自动化的消费设备，或深藏不露如车内和智能建筑中的设备，所有这些设备都将对静电放电（ESD）敏感。有限主板（PCB）经过组装并装置在设备后，ESD仍然是主要故障源之一。而对于设备的ESD保护设计，适当的抗干扰设备的选择显得尤为重要。

  ESD 抗干扰 物联网

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• 发布了文章 2023-12-15 16:55

  电动汽车和数据中心的热管理的未来

  

  在电动车电池领域，尽管浸没式冷却技术提高了热均衡性，省去了冷板和TIMs的需要，但由于液体的热导率低及电池密封难度等因素，其应用面临挑战，预计仅在特殊领域（如高性能或高成本的电动车）采用。尽管如此，随着电动车市场的增长，IDTechEx预测到2027年，浸没式冷却液体的需求将比去年增长8倍。

  数据中心 热管理 电动汽车

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• 发布了文章 2023-12-14 16:59

  三星与ASML将联手在韩国投资76亿美元建设先进芯片工厂

  

  他说：“这次将是韩荷半导体联盟的重要转折点。”他表示在半导体成为战略资产和全球供应链围绕地缘政治风险增长的情况下，此次访问荷兰将帮助两国，“建立一个有组织的制度框架，密集解决全球半导体供应链问题。”

  ASML 三星 半导体

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• 发布了文章 2023-12-14 16:58

  碳化硅的挑战与机遇

  

  可能的解决方案是降低电极偏压并减小氧化物厚度。Cooper解释道，薄氧化物提高了对通道的控制——要知道在硅MOSFET中就运行在低电压下。这种解决方案需要对制造过程进行微调。虽然关于薄介质碳化硅器件的研究较少，但硅器件使用的氧化物厚度薄达到5nm，且没有引发过多的隧道效应。如上所述，使用高介电常数适宜可以在保持物理厚度的同时提供更好的通道控制。

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• 发布了文章 2023-12-13 15:14

  碳化硅（SiC）技术在伺服器领域的潜力

  

  正在被广泛使用的伺服技术使60年代的自动化工程师羡慕无比。这种体积小、精确且完全电动的技术反映了我们现在可以使用的半导体控制、传感器和电力技术的紧凑性。今天的最大挑战仍然是伺服和其控制器之间的布线。由于必须承受来自电机和控制信号的高电流，布线成本昂贵，且是电磁干扰（EMI）的重要源头。阻抗不匹配引发的反射波经常成为问题，对电机绕组的绝缘产生了破坏性压力。

  IGBT 伺服器 硅基 碳化硅

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