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发布了文章 2024-03-22 14:39

三星工厂突发火灾，三星半导体回应：与半导体业务无关

3月21日下午，位于韩国器兴的三星SDI工厂发生了一起火灾事故。据悉，火灾原因初步认为是建筑工地焊接作业时，火星溅到了附近的可燃材料上引发的。不过，由于三星的存储业务工厂也位于同一地区，因此有猜测认为，此次火灾可能是三星为了制造涨价假象而故意放出的烟幕弹。当时工厂现场共有27名工人在进行日常作业。幸运的是，火灾发生后，所有工人都及时安全地逃离了现场，没有造成

三星半导体

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发布了文章 2024-03-21 11:59

意法半导体携手三星打造创新突破，推出18纳米高性能微控制器(MCU)

近日，意法半导体公司宣布，将推出一种基于18纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)技术的新进工艺，这一技术还配备了嵌入式相变存储器(ePCM)，意在为下一代嵌入式处理设备提供强大支持。该技术是意法半导体与三星代工厂合作研发的成果，它将大幅提升嵌入式处理应用的性能和功耗效率，同时还能实现更大的内存容量和更高水平的模拟与数字外设集成。意法半导体微控制器、数字IC和

mcu 单片机微控制器

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发布了文章 2024-03-20 13:55

一文看懂芯片生产整个过程以及需要用到哪些技术

在这个信息化飞速发展的时代，如果说哪样东西是现代电子设备的心脏，那非半导体芯片莫属了。手机、电脑、汽车，乃至那些我们肉眼看不见的传感器，里面都有它的身影。但你知道吗，制造这些小巧而复杂的半导体芯片，是一项极其挑战性的技术工作，它涉及到的科技可真是既深又宽，咱们一起来探个究竟吧。01半导体芯片的设计阶段，电子设计自动化(EDA)工具扮演着至关重要的角色。EDA

传感器半导体芯片

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发布了文章 2024-03-19 11:31

SiC器件是如何提升电动汽车的系统效率的

SiC是一种宽带隙半导体材料，相比传统的硅(Si)材料，它具有更高的击穿电场强度、更高的热导率和更高的运载子迁移率。

sic器件电动汽车碳化硅

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发布了文章 2024-03-19 11:26

英伟达发布最强AI加速卡GB200，开启新一代AI图形处理时代

英伟达正式发布了其最新、也是迄今为止最强大的AI加速卡——GB200。这一重大发布标志着英伟达在AI图形处理领域迈入了一个新的里程碑。

AI AI芯片加速卡英伟达

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发布了文章 2024-03-18 14:02

特斯拉发布峰值功率升级版Powerwall 3，迈向能源独立未来

光能源的不稳定性给持续能源生产带来了挑战，需要创新的解决方案来高效地存储和管理电力，以实现能源的可靠利用。

储能系统新能源特斯拉

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发布了文章 2024-03-18 14:00

电源管理芯片核心技术让设备更智能、更高效

本文将深入探讨电源管理芯片的作用、工作原理、技术特点、应用场景以及未来发展方向，揭示其在现代电子设备中的核心地位。

电子设备电源管理芯片电源芯片芯片

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发布了文章 2024-03-15 16:36

单片机抗干扰措施有哪些？

电磁干扰(EMI)问题日益成为影响单片机稳定性与可靠性的主要障碍。因此，探讨和实施有效的抗干扰措施对于提高单片机系统的性能至关重要。下面为大家简单介绍一种单片机抗干扰措施

单片机电子产品电源

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发布了文章 2024-03-15 16:31

英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET，满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥(DAB)、HERIC、降压/升压和移相全桥(PSFB)等拓扑结构进行优化的工业级和车规级SiCMOSFET。这些MOSFET广泛适用于工业领域的典型应用，如电动汽车充

MOSFET 汽车英飞凌

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发布了文章 2024-03-14 11:56

三星澄清：未采用MR-MUF工艺，持续创新引领HBM芯片技术

近期，针对三星是否在其高带宽内存(HBM)芯片生产中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Unified Memory Framework)工艺的讨论在科技界引发了广泛关注。

HBM 三星芯片技术

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