深圳市浮思特科技有限公司文章

• 高压电池断开开关的未来：氮化镓技术能否解决关键挑战?2024-10-28 11:25

  

  目前市场上的电动车使用的是400V和800V的电池，标称电流超过200安培。如果这些高压和高电流连接到车身或任何导电部件上，可能会导致致命风险。为了防止这种情况的发生，制造商采用高压高电流直流接触器继电器，将电池的正负极与高压电路网断开，如图1所示。图1继电器的挑战如果使用继电器为并联于逆变器的直流链路电容充电，则需要预充电电路，该电路的涌入电流取决于电容的

  开关 氮化镓 高压电池 220浏览量

• N通道和P通道场效应晶体管(FET)之间的区别是什么?2024-10-25 11:58

  

  晶体管是现代电子电路中至关重要的半导体器件。它们可以执行两种主要功能。首先，作为其真空管前身三极管，晶体管可以放大电信号。其次，晶体管可以作为计算机的信息处理和存储的开关设备。场效应晶体管是控制电流通过电场的半导体器件。晶体管不仅可以放大电信号，还可以作为开关设备。计算机利用晶体管的开关能力进行算术和逻辑运算以及信息存储。它们使用二进制代码——以基数2书写的

  FET p通道 场效应管 晶体管 1074浏览量

• Wolfspeed暂停德国SiC晶圆厂建设，德国半导体招商引资再遭重创2024-10-25 11:53

  

  近期，美国半导体公司Wolfspeed宣布暂停在德国恩斯多夫(Ensdorf)建设碳化硅(SiC)晶圆厂的计划，此举引发了业界的广泛关注。Wolfspeed的决定恰逢英特尔也因营运危机而搁置马格德堡建厂案，进一步凸显了当前德国半导体产业面临的投资挑战。Wolfspeed原计划在德国投资30亿欧元，旨在增强其在碳化硅材料领域的生产能力，以满足电动车和新能源行业

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• 2024年全球硅晶圆市场回暖：SEMI预测出货量将稳步增长2024-10-24 11:13

  

  近日，半导体行业协会(SEMI)发布了其最新的年度硅晶圆出货量预测报告，展现出全球硅晶圆市场的积极信号。报告指出，经历了去年的14.3%跌幅后，今年全球硅晶圆出货量的下跌幅度将显著收窄，仅下降2.4%。这一趋势不仅反映出市场的恢复力，还显示出在人工智能(AI)和先进制程等领域的强劲需求。硅晶圆作为大多数半导体产品的基础构建材料，扮演着至关重要的角色。半导体本

  SEMI 半导体 硅晶圆 321浏览量

• BiGaN开关在广泛电源管理中的应用2024-10-24 11:11

  

  保护USB端口、为来自不同源的设备切换电路、以及高侧负载开关免受浪涌影响，都依赖于双向电压阻断和电流导通。到目前为止，设计人员只能使用两个N型MOSFET以背靠背的方式连接在共同源极配置中来实现这一目的。这种方法涉及两个组件，并因导通电阻(RDS(on))、安全工作区(SOA)及其他特性而受到限制(见图1)。双向氮化镓(BiGaN)开关是一种创新的解决方案，

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• 中国新能源汽车与光伏市场推动SiC衬底价格剧烈波动2024-10-23 11:37

  

  2024年，中国新能源汽车和光伏市场的快速发展引发了SiC(碳化硅)衬底价格的显著下跌。今年，SiC衬底的价格已下降近30%，并预计到2024年中期将降至500美元以下。这一变化不仅影响了相关制造商的财务状况，也反映出行业内潜在的供需矛盾。SiC衬底作为半导体行业的重要材料，其成本占整个生产链的70%，其中衬底本身几乎占据了50%的成本比重。这意味着SiC衬

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• 如何通过高压SiC电池断开开关提升电气系统的可靠性与效率2024-10-23 11:35

  

  电气系统的直流母线电压在400伏特或更高，由单相或三相电网电源或能量存储系统(ESS)供电，可以通过固态电路保护提高其可靠性和韧性。在设计高压固态电池断开开关时，需要考虑多个基本设计决策。关键因素包括半导体技术、器件类型、热包装、器件的稳健性，以及在电路中断时管理感应能量。本文将讨论在选择高压高电流电池断开开关的功率半导体技术和定义半导体封装时的设计考虑，以

  SiC 电气系统 电池 247浏览量

• 光伏模块技术：选择合适的太阳能电池板2024-10-22 11:38

  

  太阳能是最丰富的能源来源。太阳辐射如果得到合理利用，可以作为水加热器或照明系统使用。1983年，贝尔实验室成功地利用光伏模块将太阳辐射转化为电能。从那时起，许多公司和研究人员开始开发这项技术，以更有效地利用太阳能。选择太阳能电池板：硅的优缺点光伏电池包含掺杂硅，这是一种吸光半导体。因此，电池类型是选择太阳能电池板时的主要考虑因素。目前主要有三种类型的硅电池：

  光伏模块 太阳能 电池板 621浏览量

• 英飞凌携手联发科技打造先进汽车座舱解决方案2024-10-21 12:01

  

  近日，英飞凌科技公司(InfineonTechnologies)宣布与联发科技(MediaTek)及其他合作伙伴共同研发了一款基于英飞凌TRAVEOCYT4DN微控制器和联发科技DimensityAutoSoC的创新解决方案。这一合作旨在提升现代汽车的安全性和智能化水平，为汽车制造商提供更为高效和可靠的技术支持。在此次方案中，英飞凌的CYT4DN微控制器作为

  座舱 联发科技 英飞凌 302浏览量

• 如何通过霍尔效应测量半导体中电子和空穴的迁移率?2024-10-21 12:00

  

  在半导体中，除了能带宽度外，一个重要的物理量是电荷载流子(电子和空穴)的迁移率。在本教程中，我们将研究霍尔效应，这使我们能够实验性地确定半导体中的这一物理量。电荷载流子迁移率在本篇文章中，我们将采用在早期期刊中探讨的德鲁德-洛伦兹框架。我们回顾一下，这一模型完全基于经典力学。唯一的“外部”成分是电子的有效质量m∗;这是一种数学手段，使我们能够将电子视为不受力

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