- 半导体FAB百问知识汇总

　　Fab内的灭火器为那一类？

　　答：CO2 类

　　为什幺FAB必须使用CO2类的灭火器？

　　答：因为CO2无干粉灭火器产尘的顾忌

　　如果不依垃圾分类原则来丢垃圾会有什幺后果？

　　答：可能造成无尘室的火灾危机，因为酸碱中和，产生热后可能引起火灾

　　无尘室的正下方我们称为什幺？

　　答：sub-fab

　　Sub-fab的功能主要为何？

　　答：生产机台所需的供酸供气等需求，主要由此处来供应上来

　　Fab内的空气和外界进行交换的比例为何？

　　答：约20%~25%

　　Fab生产区域内最在意静电（ESD）效应的区域为何？

　　答：PHOTO 黄光区（低能量静电放电导致光罩的破坏）

　　PHOTO 区如何消除静电效应

　　答：（1） 机台接地（2） 使用导电或防静电的材质（3） 使用静电消除装置

　　PHOTO 区的静电消除器安置在那些地方？

　　答：（1） 天花板（2） 机台scanner上方 （3） Stocker内

　　静电效应主要造成那些破坏？

　　答：（1） 使得wafer表面易吸附particle （2） 堆积的静电荷一旦有放电作用，即会因产生的电流造成组件的破坏

　　何谓冲身洗眼器？/何处可以找到？

　　答：无尘室中各区域皆会有;是一可紧急使用冲淋身体与眼睛的地方

　　遇到什幺状况时，需要使用冲身洗眼器

　　答：当碰到酸碱或任何其它溶剂时，请立即进入冲淋间，以大量清水冲淋15分钟，然后赶急至医护室进行下一步处理

　　为何要配合海关进行资产盘点？（机台/芯片/原物料）

　　答：因为进口的大部份资产都有关税优惠;海关为了解企业确实将这些进口的材料加工成品后卖钱;而不是转手卖掉。这一盘点对公司来说是非常重要的

　　PHOTO区域若发生miss operaton ; 可进行rework将光阻去除后重新来过;所以不用太紧张对吗？

　　答：错！ 重做多次将影响良率

　　PEL-STEL（short term exposure limit） 短时间（15分钟）时量平均容许浓度

　　答：劳工在短时间之内可以连续暴露，而不会遭受刺激，慢性或不可逆的组织损害，或在每天之暴露没有超过工作日时量平均容许浓度时不致因昏迷以致于会增加意外事故，损害自我救援能力，或实质地降低工作效率。

　　PEL-Ceiling最高容许浓度：

　　答：在工作期间之任何时间暴露，均不可以超过的浓度。

　　LEL & UEL （Lower（Upper） Explosion Limit）

　　答：。爆炸下限 & 爆炸上限;可燃性气体分子在空气中混合后的气体百分率，达爆炸范围时，可引起燃烧或爆炸，此爆炸范围的下限及上限称为LEL及UEL例如 SiH4 1.4%-96%

　　TLV （THRESHOLD LIMIT VALUE ） 国际标准阈限值、恕限量

　　答：空气中的物质浓度，在此情况下认为大多数人员每天重复暴露，不致有不良效应。在此浓度每天呼吸暴露8小时不致有健康危害。但因每人体质感受性差异很大，因此，有时即使低于TLV之浓度方可能导致某些人之不舒服、生病或使原有情况加剧。

　　PEL-TWA（time-weighted average） 工作日时量平均容许浓度：各国家对同要物质可能有不同 TWA;例如AsH3 在 USA:20ppb Taiwan:50ppb

　　答：正常8小时一个工作天，40小时一工作周之时间加权的平均浓度下，大部份的劳工都重复一天又一天的曝露，而无不良的反应。

　　PHOTO

　　PHOTO 流程？

　　答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測

　　何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？

　　答：Photoresist（光阻）。是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩（Reticle）上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。

　　何为正光阻？

　　答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。

　　何为负光阻？

　　答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。

　　什幺是曝光？什幺是显影？

　　答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。

　　何谓 Photo？

　　答：Photo=Photolithgraphy，光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。

　　Photo主要流程为何？

　　答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake， 曝光，PEB，显影，Hard Bake等。

　　何谓PHOTO区之前处理？

　　答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。

　　何谓上光阻？

　　答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。

　　何谓Soft Bake？

　　答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。

　　何谓曝光？

　　答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。

　　何谓PEB（Post Exposure Bake）？

　　答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。

　　何谓显影？

　　答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。

　　何谓Hard Bake？

　　答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。

　　何为BARC？何为TARC？它们分别的作用是什幺？

　　答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating， TARC=Top Anti Reflective Coating. BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。