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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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微碧半导体VBsemi产品

  • STM4639-VB-SOP8封装P沟道MOSFET2023-11-02 09:37

    产品型号:STM4639-VB 极性: P沟道 额定电压: 30V 额定电流: 11A 导通电阻 :11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 门源电压 :20Vgs (±V)
  • SQD50P06-15L-GE3-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-02 09:28

    产品型号:SQD50P06-15L-GE3-VB 类型: P沟道 最大耐压: 60V 最大电流: 50A 导通电阻: 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V 门源电压: 20Vgs (±V)
  • SI2307DS-T1-GE3-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-02 09:13

    产品型号:SI2307DS-T1-GE3-VB 类型: P沟道 额定电压(VDS): 30V 额定电流(ID): 5.6A (RDS(ON)) : 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V 阈值电压(Vth) : 1V
  • AOD2610-VB-TO252封装沟道MOSFET2023-11-01 16:07

    产品型号:AOD2610-VB 频道类型: N沟道 额定电压 :60V 额定电流: 60A RDS(ON): 9mΩ @ 10V,11mΩ @ 4.5V 门源电压范围 :±20V
  • WNM2020-3/TR-VB-SOT23封装沟道MOSFET2023-11-01 15:56

    产品型号:WNM2020-3/TR-VB 极性:N沟道 额定电压:20V 额定电流:6A 导通电阻:24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V 门源电压:8Vgs (±V)
  • SI3911DV-T1-GE3-VB-SOT23-6封装2个P沟道MOSFET2023-11-01 15:46

    产品型号:SI3911DV-T1-GE3-VB 类型 :2个P沟道 最大耐压: 20V 最大电流 :4A 导通电阻: 75mΩ @4.5V, 100mΩ @2.5V 门源电压: 12Vgs (±V)
  • FDMS9600S-VB-DFN8(5X6)封装2个N沟道MOSFET2023-11-01 15:35

    产品型号:FDMS9600S-VB 类型 :2个N沟道 额定电压(VDS): 30V 额定电流(ID) :60A (RDS(ON)) : 4.3mΩ@10V, 4.8mΩ@4. 阈值电压(Vth) :1.2V
  • B09N03A-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-01 15:27

    产品型号:B09N03A-VB 类型: N沟道 额定电压: 30V 额定电流: 60A RDS(ON): 10mΩ @ 10V,11mΩ @ 4.5V 门源电压范围: ±20V
  • NTF2955PT1G-VB-SOT223封装沟道MOSFET2023-11-01 15:17

    产品型号:NTF2955PT1G-VB 极性 :P沟道 额定电压: 60V 额定电流: 6.5A 导通电阻: 58mΩ @ 10V, 70mΩ @ 4.5V 门源电压: 20Vgs (±V)
  • IRFR5305TRPBF-VB-TO252封装沟道MOSFET2023-11-01 15:07

    产品型号:IRFR5305TRPBF-VB 类型 :P沟道 最大耐压 :60V 最大电流: 22A 导通电阻: 48mΩ@10V, 57mΩ@4.5V 门源电压: 20Vgs (±V)