--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
VBsemi的05N03LB-VB是一款TO252封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V(±V)的门极-源极电压(VGS)、1.7V的阈值电压(Vth)、在VGS=4.5V时的3mΩ的导通电阻(RDS(ON))、在VGS=10V时的2mΩ的导通电阻(RDS(ON))、以及100A的漏极电流(ID)。该产品采用Trench工艺。
**产品简介:**
VBsemi的05N03LB-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,适用于多种领域和模块。它具有低阻抗、高漏极电流和可靠性强的特点,适用于要求高功率密度和高效率的应用场合。
**详细参数说明:**
- 封装:TO252
- 类型:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):30V
- 门极-源极电压(VGS):20V(±V)
- 阈值电压(Vth):1.7V
- 导通电阻(RDS(ON)):3mΩ @ VGS=4.5V, 2mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):100A
- 工艺:Trench
**应用领域和模块示例:**
1. **电源模块**:05N03LB-VB适用于中高功率电源模块,如电动工具、电动车充电器等,具有低导通电阻和高效率。
2. **电动车**:在电动车的电动机驱动系统中,05N03LB-VB可用于控制器模块,提供稳定的功率输出。
3. **工业控制**:在工业控制领域,05N03LB-VB适用于各种类型的电机控制器和功率逆变器,提供高效率和可靠性。
4. **电源管理**:在各类电源管理系统中,05N03LB-VB可用作功率开关,具有高效率和稳定的性能。
5. **LED照明**:在LED照明系统中,05N03LB-VB可用作LED驱动器,提供高效率的电能转换和稳定的电流输出。
这些是05N03LB-VB的一些典型应用场景,但并不限于此,具体应用取决于设计要求和环境条件。
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