--- 产品参数 ---
- 封装 TO263封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
VBsemi的05N03L-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用槽沟技术,适用于30V的低压工作环境。它具有低导通电阻和高电流承载能力,适合在需要高效能和低功耗的电路中使用。
### 2. 参数说明
- **封装**:TO263
- **VDS**:30V
- **VGS**:20V(±)
- **阈值电压**:1.7V
- **导通电阻**:2.7mΩ @ VGS=4.5V, 2.4mΩ @ VGS=10V
- **最大电流**:98A
### 3. 应用领域和模块示例
- **电源管理模块**:05N03L-VB适用于低压、高电流的电源管理模块。例如,它可以用于手机充电器、电池管理系统等领域,提供高效的电源转换和调节。
- **电动工具**:在需要控制高功率电动工具的应用中,这款MOSFET可以用于电机驱动器,实现高效能和高电流承载能力,提升工具的性能。
- **车载电子**:这款MOSFET也适用于车载电子领域,如汽车电子系统、电动汽车控制器等,以实现高功率密度和高效率的电路设计,提升车辆的性能和效能。
这些示例说明了05N03L-VB在低压、高电流电路中的适用性,展示了其在高功率、高效率电路中的价值和应用潜力。
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