--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
以下是您请求的信息:
**产品简介:**
VBsemi的05N40T-VB是一款TO220F封装的单N沟道场效应管。它具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS,±V),3.5V的阈值电压(Vth),以及在VGS=10V时为2560mΩ的导通电阻(RDS(ON)),并且能够承受4A的漏极电流(ID)。该产品采用平面技术(Plannar Technology)制造。
**详细参数说明:**
- 封装:TO220F
- 构型:单N沟道
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(门-源电压):30V(±V)
- Vth(阈值电压):3.5V
- RDS(ON)(导通电阻):2560mΩ @ VGS=10V
- ID(漏极电流):4A
- 技术:平面技术(Plannar)
**适用领域和模块示例:**
1. **电源模块**:05N40T-VB可用于开关电源中的功率开关,用于转换和调节电源电压。
2. **电源逆变器**:在逆变器中,它可以作为开关管,将直流电转换为交流电,用于太阳能发电系统或其他需要交流电的场合。
3. **照明控制**:在LED照明控制电路中,可用作电流调节器,控制LED的亮度和功率。
4. **工业电子**:用于工业设备和机器人的功率开关,确保设备的稳定运行。
以上是对05N40T-VB产品的简介、参数说明和适用领域和模块的说明。
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