--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品简介:**
VBsemi的05N50H-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,适用于各种应用。该器件具有高漏极电压、适中的导通电阻和电流,适用于要求中等功率和高电压的电源、DC-DC转换器、电机控制等应用。
**详细参数说明:**
- **型号:** 05N50H-VB
- **封装:** TO252
- **配置:** 单N沟道
- **漏源电压(VDS):** 650V
- **门源电压(VGS):** 30V(±)
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 1000mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 5A
- **技术:** SJ_Multi-EPI
**应用示例:**
- **电源:** 该MOSFET可用于中等功率和高电压的开关模式电源中,以稳定和调节电压。
- **DC-DC转换器:** 用于DC-DC转换器电路中,以实现不同电压级之间的转换。
- **电机控制:** 可用于中等功率电机控制电路,以调节和控制电机的转速。
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