以下是VBsemi公司的MOSFET产品05N50I-VB的详细信息：
1. 产品简介：
05N50I-VB是一款单N沟道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Plannar技术制造，适用于各种领域和模块的电路设计。其主要特点包括650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS）、3.5V的阈值电压（Vth）、1100mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及7A的漏极电流（ID）。
2. 参数说明：
- 型号：05N50I-VB
- 封装：TO220F
- 极性：N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：650V
- 栅极-源极电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：1100mΩ@VGS=10V
- 漏极电流（ID）：7A
- 技术：Plannar
3. 应用举例：
05N50I-VB适用于多种领域和模块，例如：
- 电源管理：适用于中低功率的开关电源和稳压器。
- 照明应用：用于LED照明系统中的功率开关。
- 工业控制：适用于工业自动化和机器人控制等领域的中低功率开关。
- 电动车辆：用于电动车辆中的电机控制和电源管理。
以上是05N50I-VB MOSFET产品的详细信息及其适用领域和模块的举例说明。
